摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-22页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 AlN薄膜的特性与应用 | 第12-17页 |
1.2.1 AlN薄膜的特性 | 第12-14页 |
1.2.2 AlN薄膜的应用 | 第14-17页 |
1.3 AlN薄膜制备方法 | 第17-19页 |
1.3.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第17-18页 |
1.3.2 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition) | 第18页 |
1.3.3 脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition) | 第18页 |
1.3.4 分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy) | 第18-19页 |
1.3.5 真空蒸发镀膜法(Vacuum Evaporation) | 第19页 |
1.4 Sc掺杂AlN薄膜研究概况 | 第19-21页 |
1.5 本文的研究目的与主要工作 | 第21-22页 |
第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第22-31页 |
2.1 薄膜的制备系统 | 第22-25页 |
2.1.1 磁控溅射的工作原理 | 第22-23页 |
2.1.2 实验设备 | 第23-25页 |
2.2 实验工艺流程 | 第25-26页 |
2.2.1 ScAlN和AlN薄膜的制备 | 第25页 |
2.2.2 底电极层的制备 | 第25-26页 |
2.3 薄膜表征方法 | 第26-28页 |
2.3.1 结晶质量表征 | 第26-27页 |
2.3.2 成分、膜厚与电性能表征 | 第27-28页 |
2.3.3 膜基结合力测试 | 第28页 |
2.4 具体实施方案 | 第28-31页 |
第三章 溅射参数对ScAlN薄膜结构形貌及电性能影响研究 | 第31-51页 |
3.1 氮氩比例对ScAlN薄膜结构形貌的影响 | 第31-37页 |
3.1.1 氮氩比例对ScAlN薄膜结晶取向的影响 | 第31-34页 |
3.1.2 氮氩比例对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
3.1.3 氮氩比例对ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第35-36页 |
3.1.4 氮氩比例对ScAlN薄膜电阻率及漏电流的影响 | 第36-37页 |
3.2 溅射功率对ScAlN薄膜结构形貌的影响 | 第37-41页 |
3.2.1 溅射功率对ScAlN薄膜结晶取向的影响 | 第38-39页 |
3.2.2 溅射功率对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第39-40页 |
3.2.3 溅射功率对ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第40页 |
3.2.4 溅射功率对ScAlN薄膜电阻率及漏电流影响规律 | 第40-41页 |
3.3 衬底温度对ScAlN薄膜结构形貌的影响 | 第41-45页 |
3.3.1 衬底温度对ScAlN薄膜结晶取向的影响 | 第41-43页 |
3.3.2 衬底温度对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
3.3.3 衬底温度对ScAlN薄膜沉积速率影响 | 第44-45页 |
3.3.4 衬底温度对ScAlN薄膜电阻率及漏电流的影响 | 第45页 |
3.4 溅射气压对ScAlN薄膜结构形貌的影响 | 第45-50页 |
3.4.1 溅射气压对ScAlN薄膜结晶取向的影响 | 第46-47页 |
3.4.2 溅射气压对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
3.4.3 溅射气压对ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第48-49页 |
3.4.4 溅射气压对ScAlN薄膜电阻率及漏电流的影响 | 第49-50页 |
3.5 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 Sc掺杂对AlN薄膜结晶及性能影响研究 | 第51-58页 |
4.1 引言 | 第51-52页 |
4.2 Sc掺杂对AlN薄膜结晶质量的影响 | 第52-54页 |
4.2.1 结晶择优取向 | 第52-53页 |
4.2.2 表面形貌 | 第53-54页 |
4.3 Sc掺杂对AlN薄膜绝缘性能的影响 | 第54-56页 |
4.4 Sc掺杂对AlN薄膜介电常数的影响 | 第56页 |
4.5 ScAlN薄膜的膜基结合力 | 第56-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 总结 | 第58-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-67页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |