| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-20页 |
| 1.2.1 磁控溅射技术 | 第11-13页 |
| 1.2.2 反应磁控溅射 | 第13-15页 |
| 1.2.3 高功率脉冲磁控溅射技术 | 第15-17页 |
| 1.2.4 孪生靶磁控溅射技术 | 第17-18页 |
| 1.2.5 Al_2O_3磁控溅射研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 试验材料、设备及方法 | 第21-26页 |
| 2.1 试验材料 | 第21页 |
| 2.2 试验设备 | 第21-24页 |
| 2.2.1 全方位离子注入与沉积设备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 大面积等离子体浸没式离子注入与沉积设备 | 第22-23页 |
| 2.2.3 磁控溅射电源 | 第23-24页 |
| 2.3 试验方法 | 第24页 |
| 2.4 分析测试方法 | 第24-26页 |
| 2.4.1 发射光谱诊断 | 第24-25页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第25页 |
| 2.4.3 X 射线衍射（XRD）分析 | 第25-26页 |
| 第3章 可调功率脉冲磁控溅射电源的研制 | 第26-35页 |
| 3.1 可调脉冲功率技术 | 第26-27页 |
| 3.2 可调脉冲功率电源的研制 | 第27-32页 |
| 3.2.1 主电路设计 | 第27-28页 |
| 3.2.2 主脉冲信号 | 第28-30页 |
| 3.2.3 偏压脉冲信号 | 第30页 |
| 3.2.4 过流保护电路 | 第30-31页 |
| 3.2.5 IGBT 驱动电路 | 第31-32页 |
| 3.3 MPP 电源输出特性测试 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 单靶 MPP 反应磁控溅射 Al_2O_3发射光谱分析及工艺研究 | 第35-45页 |
| 4.1 单靶 MPP 溅射发射光谱分析 | 第35-37页 |
| 4.1.1 发射光谱法 | 第35页 |
| 4.1.2 单 Al 靶反应磁控溅射等离子体成分诊断 | 第35-37页 |
| 4.2 单靶 MPP 溅射沉积 Al_2O_3工艺 | 第37-38页 |
| 4.3 涂层的微观形貌分析 | 第38-42页 |
| 4.3.1 氧气流量对涂层的影响 | 第39-41页 |
| 4.3.2 工作气压对涂层的影响 | 第41-42页 |
| 4.4 涂层的相组成分析 | 第42-43页 |
| 4.5 涂层的吸收发射比 | 第43页 |
| 4.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 孪生靶高功率脉冲反应磁控溅射 Al_2O_3发射光谱及工艺研究 | 第45-61页 |
| 5.1 孪生靶高功率脉冲磁控溅射技术 | 第45-47页 |
| 5.1.1 孪生靶结构 | 第45-46页 |
| 5.1.2 孪生靶溅射电源 | 第46-47页 |
| 5.2 孪生靶磁控溅射等离子体分析 | 第47-54页 |
| 5.2.1 不同氧气流量对等离子体发射光谱的影响 | 第49-52页 |
| 5.2.2 不同工作气压对等离子体发射光谱的影响 | 第52-54页 |
| 5.3 孪生靶溅射沉积 Al_2O_3涂层工艺 | 第54页 |
| 5.4 涂层微观形貌分析 | 第54-58页 |
| 5.4.1 氧气流量对涂层的影响 | 第56页 |
| 5.4.2 工作气压对涂层的影响 | 第56-58页 |
| 5.5 涂层相组成分析 | 第58-59页 |
| 5.6 涂层的吸收发射比 | 第59页 |
| 5.7 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
