| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 图录 | 第11-14页 |
| 表录 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介 | 第15-17页 |
| 1.3 非晶氧化物薄膜晶体管 | 第17-24页 |
| 1.3.1 非晶半导体 | 第17-18页 |
| 1.3.2 非晶氧化物半导体 | 第18-19页 |
| 1.3.3 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 （a-IGZO TFTs） | 第19-24页 |
| 1.4 本文的研究意义与研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-38页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第26-28页 |
| 2.1.2 电子束蒸镀 | 第28-29页 |
| 2.2 膜厚及刻蚀速率测量 | 第29-30页 |
| 2.3 图形化方法 | 第30-34页 |
| 2.3.1 光刻工艺 | 第31-33页 |
| 2.3.2 其他图形化工艺 | 第33-34页 |
| 2.4 电学性能测量及参数表征 | 第34-36页 |
| 2.4.1 电学性能测量 | 第34-35页 |
| 2.4.2 基本参数表征方法 | 第35-36页 |
| 2.5 其他测试 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 非晶 InGaZnO 薄膜晶体管源漏电极材料的比较研究 | 第38-58页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 电极材料选择 | 第39-45页 |
| 3.2.1 不同金属材料湿刻性质研究 | 第39-43页 |
| 3.2.2 湿刻选择比 | 第43-45页 |
| 3.3 源漏电极图形化结果 | 第45-48页 |
| 3.4 a-IGZO TFTs(BCE)的光刻制程开发 | 第48-57页 |
| 3.4.1 概述 | 第48-51页 |
| 3.4.2 制程开发中的部分问题及解决方案 | 第51-55页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第55-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 非晶 InGaZnO 薄膜晶体管纯银电极的研究 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 金属银应用于 a-IGZO TFTs 源漏电极的研究 | 第58-62页 |
| 4.2.1 银刻蚀液的选择 | 第59-60页 |
| 4.2.2 a-IGZO TFTs 银源漏电极图形化 | 第60-62页 |
| 4.3 金属银应用于 a-IGZO TFTs 栅电极的研究 | 第62-69页 |
| 4.3.1 银电极与玻璃基板间粘附性问题 | 第62-66页 |
| 4.3.2 银电极易遭受等离子损伤(Plasma Damage)问题 | 第66-69页 |
| 4.4 全银电极 a-IGZO TFTs (BCE) 的制程开发 | 第69-74页 |
| 4.4.1 概述 | 第69-71页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第71-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 本文主要内容总结 | 第76-77页 |
| 5.2 工作展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第83-84页 |
| 附件 | 第84页 |
