| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第10-24页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第10页 |
| 1.2 课题研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 多晶硅简介 | 第11-13页 |
| 1.3.1 硅基本知识 | 第11页 |
| 1.3.2 晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3.3 多晶硅 | 第12页 |
| 1.3.4 多晶硅分级 | 第12-13页 |
| 1.3.5 多晶硅生产技术 | 第13页 |
| 1.3.6 多晶硅应用 | 第13页 |
| 1.4 改良西门子法多晶硅制备过程中杂质分布 | 第13-19页 |
| 1.4.1 氢气制备与净化过程 | 第13-14页 |
| 1.4.2 氯化氢合成过程 | 第14页 |
| 1.4.3 三氯氢硅合成过程 | 第14-15页 |
| 1.4.4 合成气干法分离过程 | 第15页 |
| 1.4.5 氯硅烷分离提纯过程 | 第15-16页 |
| 1.4.6 三氯氢硅氢还原过程 | 第16页 |
| 1.4.7 还原尾气干法分离过程 | 第16-17页 |
| 1.4.8 四氯化硅氢化过程 | 第17页 |
| 1.4.9 氢化气干法分离过程 | 第17页 |
| 1.4.10 氯硅烷贮存过程 | 第17-18页 |
| 1.4.11 硅芯制备过程 | 第18页 |
| 1.4.12 产品整理过程 | 第18页 |
| 1.4.13 废气及残液处理过程 | 第18-19页 |
| 1.5 多晶硅杂质分析检验 | 第19-21页 |
| 1.5.1 太阳能级多晶硅技术参数 | 第19-20页 |
| 1.5.2 电子级多晶硅技术参数 | 第20页 |
| 1.5.3 多晶硅施受主杂质检测 | 第20-21页 |
| 1.6 多晶硅杂质影响关系 | 第21-23页 |
| 1.6.1 三氯氢硅对多晶硅质量的影响 | 第21-22页 |
| 1.6.2 氢气对多晶硅质量的影响 | 第22页 |
| 1.6.3 夹层对多晶硅质量的影响 | 第22-23页 |
| 1.6.4 施受主杂质对多晶硅质量的影响 | 第23页 |
| 1.7 论文的主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 同一炉多晶硅棒不同位置杂质分布研究 | 第24-40页 |
| 2.1 区熔拉晶 | 第24-26页 |
| 2.1.1 原理 | 第24页 |
| 2.1.2 试剂和材料 | 第24页 |
| 2.1.3 仪器设备 | 第24-25页 |
| 2.1.4 样品制备 | 第25页 |
| 2.1.5 分析步骤 | 第25-26页 |
| 2.1.6 结果评价 | 第26页 |
| 2.2 施受主杂质检测方法 | 第26-30页 |
| 2.2.1 原理 | 第27页 |
| 2.2.2 试剂和材料 | 第27页 |
| 2.2.3 仪器设备 | 第27页 |
| 2.2.4 样品制备 | 第27-28页 |
| 2.2.5 分析步骤 | 第28页 |
| 2.2.6 结果计算 | 第28-30页 |
| 2.3 同一炉硅棒不同位置杂质取样方法 | 第30-39页 |
| 2.3.1 24对棒还原炉杂质分布 | 第30-34页 |
| 2.3.2 36对棒还原炉杂质分布 | 第34-39页 |
| 2.4 同一炉多晶硅棒不同位置的质量差异 | 第39页 |
| 2.5 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 同一根多晶硅棒不同位置杂质分布研究 | 第40-48页 |
| 3.1 同一硅棒靠近硅棒表皮与平行于硅芯的部位杂质分布情况 | 第40-43页 |
| 3.2 同一硅棒不同套料方式杂质分布情况 | 第43-45页 |
| 3.3 多晶硅表面与硅芯部位的质量差异 | 第45-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-48页 |
| 第四章 不同硅芯电阻率生长的多晶硅棒杂质分布研究 | 第48-52页 |
| 4.1 不同电阻率硅芯生长的多晶硅棒杂质分布情况 | 第48-50页 |
| 4.2 不同电阻率硅芯生长的多晶硅的质量差异 | 第50-51页 |
| 4.3 小结 | 第51-52页 |
| 第五章 多晶硅棒中杂质影响因素分析与改善 | 第52-58页 |
| 5.1 还原工序对多晶硅棒中杂质影响的原因分析 | 第52-53页 |
| 5.1.1 置换气体的洁净度 | 第52页 |
| 5.1.2 高温条件下杂质的迁移与扩散 | 第52-53页 |
| 5.1.3 还原炉内系统的洁净度 | 第53页 |
| 5.1.4 SiHCl_3及H_2中P、B杂质含量的富集作用 | 第53页 |
| 5.2 多晶硅棒中杂质影响因素解决措施 | 第53-54页 |
| 5.2.1 降低置换气体中的杂质含量 | 第53页 |
| 5.2.2 用高阻值硅芯逐步替代低阻值硅芯 | 第53-54页 |
| 5.2.3 确保石墨件、磁环、底盘、炉筒壁的洁净 | 第54页 |
| 5.3 多晶硅棒中杂质影响改善运行情况 | 第54-56页 |
| 5.3.1 氮气管线改造对多晶硅品质的影响 | 第54页 |
| 5.3.2 使用高阻值硅芯减少硅芯对多晶硅品质的影响 | 第54-55页 |
| 5.3.3 原料氯硅烷除杂装置安装对多晶硅品质的影响 | 第55-56页 |
| 5.4 小结 | 第56-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58-59页 |
| 6.1.1 同一炉多晶硅棒不同位置杂质分布情况 | 第58页 |
| 6.1.2 同一根多晶硅棒不同位置杂质分布情况 | 第58页 |
| 6.1.3 不同硅芯电阻率对多晶硅品质的影响 | 第58-59页 |
| 6.1.4 还原工艺对多晶硅杂质分布有一定的影响 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 6.2.1 多晶硅棒中各项参数之间的关系研究 | 第59页 |
| 6.2.2 多晶硅生产过程中杂质分布情况研究 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
