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低相位噪声的数控晶体振荡器设计

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 概述第6-10页
   ·研究目的第6-7页
   ·研究内容及贡献第7-8页
   ·论文组织结构第8页
 参考文献第8-10页
第二章 晶体振荡器概述第10-22页
   ·晶体特性第10-13页
     ·压电特性第10-11页
     ·电学等效模型第11-13页
   ·晶体振荡器分析方法和结构第13-17页
     ·晶体振荡器分析方法第13-15页
     ·CMOS晶体振荡器结构第15-17页
   ·晶体振荡器指标第17-20页
     ·功耗第17-19页
     ·频率稳定度第19-20页
     ·其他第20页
   ·本章小结第20-21页
 参考文献第21-22页
第三章 Santos结构晶体振荡器分析第22-38页
   ·核心电路第22-23页
   ·线性分析第23-29页
     ·起振时间及时间常数第23-24页
     ·临界跨导和牵引系数第24-28页
     ·小信号电压幅度第28-29页
   ·非线性分析第29-34页
     ·大信号模型第29-32页
     ·大信号电压幅度第32-34页
   ·相位噪声分析第34-36页
   ·设计流程第36页
 参考文献第36-38页
第四章 Santos结构晶体振荡器电路设计第38-60页
   ·设计考虑第38-40页
   ·自动幅度控制电路设计第40-48页
     ·晶振核心电路设计第40-42页
     ·电流源第42-44页
     ·峰值检测和比较器电路第44-45页
     ·自动幅度控制第45-48页
   ·自动频率控制第48-56页
     ·数控开关电容阵列第49-51页
     ·电容阵列的单元设计第51-55页
     ·一阶delta-sigma调制器第55-56页
   ·晶振输出缓冲级设计第56-58页
 参考文献第58-60页
第五章 芯片实现及测试第60-68页
   ·芯片实现第60-61页
   ·芯片测试结果第61-66页
 参考文献第66-68页
第六章 总结与展望第68-70页
   ·总结第68页
   ·展望第68页
 参考文献第68-70页
致谢第70-72页

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