| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 1 引言 | 第9-13页 |
| 1．1 硫化镉研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1．2 硫化镉薄膜的国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1．2．1 硫化镉薄膜的制备工艺 | 第10-11页 |
| 1．2．2 硫化镉薄膜研究存在的主要问题 | 第11页 |
| 1．3 论文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 1．3．1 CdS薄膜生长研究 | 第11页 |
| 1．3．2 硫化镉薄膜性质的研究 | 第11-12页 |
| 1．3．3 CdS薄膜器件研究 | 第12-13页 |
| 2 硫化镉薄膜样品制备 | 第13-24页 |
| 2．1 CBD法的原理 | 第13-14页 |
| 2．2 CBD法的实验装置 | 第14-15页 |
| 2．3 CBD法的工艺流程 | 第15-17页 |
| 2．3．1 衬底清洁预处理 | 第15-16页 |
| 2．3．2 反应液的配制 | 第16页 |
| 2．3．3 沉积薄膜过程 | 第16页 |
| 2．3．4 薄膜的后期处理 | 第16-17页 |
| 2．4 实验条件对沉膜的影响 | 第17-22页 |
| 2．4．1 氯化镉浓度对薄膜生长的影响 | 第17-18页 |
| 2．4．2 硫脲浓度对薄膜生长的影响 | 第18-19页 |
| 2．4．3 缓冲剂对薄膜生长的影响 | 第19-21页 |
| 2．4．4 超声波振荡对薄膜生长的影响 | 第21-22页 |
| 2．4．5 溶液温度对薄膜生长的影响 | 第22页 |
| 2．5 小结 | 第22-24页 |
| 3 硫化镉薄膜生长机理 | 第24-33页 |
| 3．1 CBD法制备硫化镉薄膜的生长机理分析 | 第24-30页 |
| 3．1．1 溶液的酸碱性――pH | 第24-26页 |
| 3．1．2 温度对初始生长速率的影响 | 第26-27页 |
| 3．1．3 反应物浓度对薄膜生长速率的影响 | 第27页 |
| 3．1．4 CBD法制备硫化镉薄膜的化学动力学机理 | 第27-30页 |
| 3．2 实验现象的理论解释 | 第30-31页 |
| 3．3 小结 | 第31-33页 |
| 4 硫化镉薄膜的性质分析 | 第33-43页 |
| 4．1 硫化镉薄膜的结构分析 | 第33-36页 |
| 4．1．1 扫描电镜分析 | 第33-34页 |
| 4．1．2 XRD分析 | 第34-36页 |
| 4．2 CdS薄膜成分分析 | 第36-39页 |
| 4．3 CdS薄膜的光学特性分析 | 第39-41页 |
| 4．4 硫化镉薄膜的电学性质分析 | 第41页 |
| 4．5 小结 | 第41-43页 |
| 5 硫化镉薄膜的应用研究 | 第43-52页 |
| 5．1 CdS/CdTe异质结的理论研究 | 第43-49页 |
| 5．1．1 光生电流 | 第43-47页 |
| 5．1．2 太阳电池输出特性的研究和讨论 | 第47-48页 |
| 5．1．3 计算结果讨论 | 第48-49页 |
| 5．2 CdS/CdTe太阳电池的实验制备 | 第49-51页 |
| 5．3 CdS/CdTe太阳电池样品的性能分析 | 第51页 |
| 5．4 小结 | 第51-52页 |
| 6 硫化镉薄膜的应用前景 | 第52-58页 |
| 6．1 硫化镉半导体胶体和纳米颗粒复合膜 | 第52-54页 |
| 6．2 传感器件 | 第54-56页 |
| 6．2．1 位置传感器 | 第54-56页 |
| 6．2．2 光电探测器 | 第56页 |
| 6．2．3 气敏传感器 | 第56页 |
| 6．3 发光器件 | 第56页 |
| 6．4 光学集成和储存器件 | 第56-57页 |
| 6．5 小结 | 第57-58页 |
| 7 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 附录 | 第67页 |