| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 钒酸钇的一般性质 | 第8-10页 |
| 1.2 钒酸钇的重要用途 | 第10-11页 |
| 1.3 本实验室的目标——白光LED 基质材料 | 第11-13页 |
| 1.4 本文的工作 | 第13-14页 |
| 第二章 实验仪器的维修和维护 | 第14-30页 |
| 2.1 实验设备简介 | 第14-17页 |
| 2.2 中频感应炉的工作原理 | 第17-27页 |
| 2.2.1 中频感应炉的诞生及发展 | 第17-18页 |
| 2.2.2 可控硅中频装置的优越 | 第18-19页 |
| 2.2.3 可控硅中频感应电源的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.4 可控硅 | 第20-24页 |
| 2.2.5 可控硅在使用中容易出现的一些问题及处理措施 | 第24-27页 |
| 2.3 中频感应炉的测试、修理 | 第27页 |
| 2.3.1 中频感应炉的测试 | 第27页 |
| 2.3.2 中频感应炉的修理 | 第27页 |
| 2.4 中频感应炉的调试使用和维护 | 第27-30页 |
| 2.4.1 接通电源前的检查 | 第28页 |
| 2.4.2 接通电源后的检查 | 第28-29页 |
| 2.4.3 使用和维护 | 第29-30页 |
| 第三章 晶体生长理论和生长方法的选择 | 第30-40页 |
| 3.1 晶体生长方法概述 | 第30-32页 |
| 3.1.1 从熔体中生长单晶体 | 第30页 |
| 3.1.2 提拉法 | 第30-31页 |
| 3.1.3 泡生法 | 第31页 |
| 3.1.4 坩埚下降法 | 第31页 |
| 3.1.5 浮区熔化法 | 第31-32页 |
| 3.1.6 焰熔法 | 第32页 |
| 3.2 采用提拉法来生长钒酸钇晶体 | 第32-33页 |
| 3.2.1 本实验室中提拉法和温度梯度法的比较 | 第32-33页 |
| 3.2.2 采用提拉法来生长钒酸钇单晶 | 第33页 |
| 3.3 提拉法生长晶体的原理及装置 | 第33-35页 |
| 3.3.1 提拉法概述 | 第33-34页 |
| 3.3.2 提拉法原理 | 第34页 |
| 3.3.3 提拉法装置 | 第34-35页 |
| 3.3.4 提拉法的优点和缺点 | 第35页 |
| 3.4 晶体生长过程中的热量运输和质量运输 | 第35-40页 |
| 3.4.1 热量运输的基本形式 | 第36页 |
| 3.4.2 固液界面处的能量守恒方程 | 第36-37页 |
| 3.4.3 晶体直径的控制 | 第37-38页 |
| 3.4.4 晶体直径的极限生长速率 | 第38页 |
| 3.4.5 晶体旋转对直径的影响 | 第38-40页 |
| 第四章 钒酸钇晶体的生长 | 第40-43页 |
| 4.1 本实验室生长的钒酸钇晶体照片 | 第41-42页 |
| 4.2 钒酸钇晶体的XRD 图 | 第42-43页 |
| 第五章 结果与讨论 | 第43-60页 |
| 5.1 两种对流方式对晶体生长的影响 | 第43-44页 |
| 5.1.1 两种对流方式简介 | 第43页 |
| 5.1.2 两种对流方式对晶体生长的影响 | 第43-44页 |
| 5.2 气体对流对晶体生长的影响 | 第44-48页 |
| 5.2.1 气体对流理论 | 第44-46页 |
| 5.2.2 在晶体生长中的应用 | 第46-47页 |
| 5.2.3 气体对流对晶体生长的影响 | 第47-48页 |
| 5.3 PID 参数的设定以其对晶体生长的影响 | 第48-50页 |
| 5.3.1 PID 参数概述 | 第48页 |
| 5.3.2 PID 控制的原理和特点 | 第48-49页 |
| 5.3.3 PID 参数调节口诀 | 第49-50页 |
| 5.3.4 PID 参数的设定以其对晶体生长的影响 | 第50页 |
| 5.4 晶体生长中的应力问题 | 第50-52页 |
| 5.4.1 晶体热应力 | 第50-52页 |
| 5.4.2 晶体的结构应力 | 第52页 |
| 5.4.3 晶体的化学应力 | 第52页 |
| 5.5 晶体生长过程中直径的控制 | 第52-56页 |
| 5.5.1 理论上的分析 | 第52-53页 |
| 5.5.2 在实际观察中的困难 | 第53页 |
| 5.5.3 根据光圈的变化来预知直径的变化 | 第53-56页 |
| 5.6 晶体生长过程中的位错研究及减少位错的办法 | 第56-60页 |
| 5.6.1 位错概述 | 第56页 |
| 5.6.2 位错的特性 | 第56页 |
| 5.6.3 晶体生长的过程中位错的形成机制 | 第56-57页 |
| 5.6.4 减少位错的办法 | 第57-60页 |
| 附录：使用中频感应炉生长钒酸钇晶体工艺 | 第60-71页 |
| 一、实验前的准备 | 第60-63页 |
| (一) 真空保护系统 | 第60页 |
| (二) 水冷系统 | 第60-61页 |
| (三) 加热系统 | 第61页 |
| (四) 控温系统 | 第61-63页 |
| (五) 提拉系统 | 第63页 |
| 二、配料、装炉 | 第63-66页 |
| (一) 配料 | 第63-64页 |
| (二) 装炉 | 第64-65页 |
| (三) 抽真空 | 第65页 |
| (四) 打开水源 | 第65页 |
| (五) 实验前的参数设定 | 第65-66页 |
| 三、晶体生长 | 第66-71页 |
| (一) 加热熔料 | 第66-67页 |
| (二) 下籽晶 | 第67-69页 |
| (三) 生长放肩过程 | 第69页 |
| (四) 等径生长 | 第69-70页 |
| (五) 尾部生长 | 第70页 |
| (六) 降温冷却 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |