电流型D类射频功率放大器与数字发射机研究与设计
| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第8-11页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 论文的主要工作与贡献 | 第10页 |
| 1.3 论文的组织安排 | 第10-11页 |
| 第2章 射频功放和数字发射机综述 | 第11-22页 |
| 2.1 功放主要技术指标 | 第11-13页 |
| 2.1.1 效率 | 第11页 |
| 2.1.2 线性度 | 第11-13页 |
| 2.2 开关型射频功放 | 第13-18页 |
| 2.2.1 电压型D类功放(VMCD) | 第14-15页 |
| 2.2.2 E类功放 | 第15-16页 |
| 2.2.3 F类功放 | 第16-17页 |
| 2.2.4 电流型D类功放(CMCD) | 第17-18页 |
| 2.2.5 研究现状 | 第18页 |
| 2.3 数字发射机 | 第18-22页 |
| 2.3.1 发射机基本原理 | 第18-19页 |
| 2.3.2 极化调制发射机 | 第19-20页 |
| 2.3.3 直接混频数字发射机 | 第20-21页 |
| 2.3.4 研究现状 | 第21-22页 |
| 第3章 全集成CMCD射频功放设计 | 第22-54页 |
| 3.1 稳态分析 | 第22-27页 |
| 3.1.1 理想的电流和电压波形 | 第22-24页 |
| 3.1.2 非理想的电流和电压波形 | 第24-27页 |
| 3.2 效率分析 | 第27-34页 |
| 3.2.1 晶体管导通损耗和驱动损耗 | 第27-30页 |
| 3.2.2 RLC-Tank带负载Q值 | 第30-33页 |
| 3.2.3 漏端寄生电容 | 第33-34页 |
| 3.3 电路设计 | 第34-44页 |
| 3.3.1 电路结构 | 第35-36页 |
| 3.3.2 电源和偏置电压 | 第36-38页 |
| 3.3.3 晶体管尺寸 | 第38-39页 |
| 3.3.4 变压器和谐振电路 | 第39-41页 |
| 3.3.5 驱动电路 | 第41-42页 |
| 3.3.6 版图设计与仿真 | 第42-44页 |
| 3.4 CMOS全集成变压器 | 第44-54页 |
| 3.4.1 变压器模型 | 第44-47页 |
| 3.4.2 变压器结构 | 第47-49页 |
| 3.4.3 等效电路模型 | 第49-51页 |
| 3.4.4 仿真结果 | 第51-54页 |
| 第4章 全数字射频发射机 | 第54-71页 |
| 4.1 系统设计 | 第54-55页 |
| 4.2 插值滤波器 | 第55-62页 |
| 4.2.1 插值滤波器原理 | 第55-57页 |
| 4.2.2 插值滤波器设计 | 第57-62页 |
| 4.3 数字混频器 | 第62页 |
| 4.4 带通∑Δ调制器 | 第62-68页 |
| 4.4.1 ∑Δ调制器原理 | 第62-64页 |
| 4.4.2 ∑Δ调制器设计 | 第64-68页 |
| 4.5 频率变换 | 第68-71页 |
| 第5章 芯片测试 | 第71-75页 |
| 5.1 片实现 | 第71页 |
| 5.2 测试电路 | 第71-72页 |
| 5.3 测试结果与分析 | 第72-75页 |
| 第6章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
