| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 第一节 湿法处理应用综述 | 第9页 |
| 第二节 先进集成电路制程对湿法处理工艺的要求 | 第9-10页 |
| 第三节 “双栅氧”(Dual gate oxide)工艺的应用 | 第10-13页 |
| 1.3.1 双栅氧工艺的常规实现方法 | 第11页 |
| 1.3.2 双栅氧工艺流程的其他实现方法 | 第11-13页 |
| 第四节 本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第五节 本章小结 | 第14页 |
| 第二章 湿法处理在超大规模集成电路生产中的应用 | 第14-25页 |
| 第一节 FEOL湿法处理工艺原理 | 第15-22页 |
| 2.1.1 SC-1(Standard clean-1)过程 | 第15-18页 |
| 2.1.2 SC-2(Standard clean-2)过程 | 第18-19页 |
| 2.1.3 SPM(Sulfuric peroxide mixture)过程 | 第19-20页 |
| 2.1.4 D-HF(Dilute HF)过程 | 第20-21页 |
| 2.1.5 BOE(buffered oxide etch)过程 | 第21页 |
| 2.1.6 前段工艺中常见的湿法处理过程 | 第21-22页 |
| 第二节 湿法处理后的冲洗和干燥 | 第22-23页 |
| 第三节 湿法处理工艺面临的挑战 | 第23-24页 |
| 第四节 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 双栅氧氧化中湿法工艺优化探究 | 第25-45页 |
| 第一节 双栅氧氧化前清洗和刻蚀流程的工艺目的 | 第25-28页 |
| 3.1.1 双栅氧湿法刻蚀过程(Dual gate wet etch) | 第25-26页 |
| 3.1.2 双栅氧刻蚀后湿法去除光阻过程 | 第26-27页 |
| 3.1.3 二次氧化前表面清洗过程 | 第27-28页 |
| 第二节 双栅氧氧化前清洗和刻蚀工艺控制方法探究 | 第28-42页 |
| 3.2.1 DHF和BOE过程刻蚀速率控制优化 | 第28-33页 |
| 3.2.2 BOE处理后表面微粗糙度控制优化 | 第33-37页 |
| 3.2.3 SPM过程中氧化反应工艺控制优化 | 第37-42页 |
| 3.2.4 SPM和RCA清洗过程工艺控制优化 | 第42页 |
| 第三节 双栅氧氧化MOS器件性能评估方法 | 第42-45页 |
| 第四节 本章小结 | 第45页 |
| 第四章 双栅氧氧化工艺控制的应用探究 | 第45-51页 |
| 第一节 栅氧电性厚度控制的优化 | 第45-47页 |
| 第二节 栅氧击穿电压Qbd的优化 | 第47-48页 |
| 第三节 栅氧氧化层针孔(pin hole)缺陷的防止 | 第48-51页 |
| 第四节 本章小结 | 第51页 |
| 第五章 结论 | 第51-54页 |
| 第一节 论文总结 | 第51-53页 |
| 第二节 多栅工艺技术展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
