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基于0.18umCMOS多路复用器设计

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 课题研究背景和意义第9-10页
    1.2 DTMOS技术国内外研究发展现状第10-13页
        1.2.1 国内发展现状第11-12页
        1.2.2 国外发展现状第12-13页
    1.3 今后的发展趋势第13-14页
    1.4 本课题研究的主要内容第14页
    1.5 本文的结构安排第14-16页
第2章 正向体偏置技术第16-23页
    2.1 等比例缩小理论第16-17页
        2.1.1 尺寸缩小原理第16-17页
        2.1.2 小尺寸器件效应第17页
    2.2 正向体偏置动态阈值技术第17-22页
        2.2.1 动态阈值技术的种类与原理第17-18页
        2.2.2 动态阈值MOSFET的工作机理第18-19页
        2.2.3 动态阈值MOSFET的阈值电压和普通MOSFET的比较第19-22页
    2.3 DTMOS器件结构第22页
    2.4 本章小结第22-23页
第3章 基于DTMOS技术两级运放的设计第23-34页
    3.1 改进DTMOS反相器第24-26页
    3.2 运算放大器及其性能指标第26-29页
        3.2.1 单级放大器第26-27页
        3.2.2 基本两级差分放大器第27-29页
    3.3 改进DTMOS运算放大器及仿真第29-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第4章 多路复用器和施密特触发器的设计第34-47页
    4.1 模拟多路复用器的用途与工作原理第34-38页
    4.2 模拟多路复用器的设计与仿真第38-41页
    4.3 施密特触发器的应用与工作原理第41-45页
    4.5 本章小结第45-47页
第5章 版图的设计第47-59页
    5.1 IC版图设计简介第47-48页
    5.2 版图设计规则第48-52页
        5.2.1 最小宽度第48-49页
        5.2.2 最小间距第49页
        5.2.3 最小交叠第49页
        5.2.4 设计规则检查第49-50页
        5.2.5 版图与电路图对照第50-52页
    5.3 各电路的版图设计第52-58页
        5.3.1 改进DTMOS技术反相器版图第52-53页
        5.3.2 单级差分运放版图第53-54页
        5.3.3 基于DTMOS两级差分运算放大器的版图第54-56页
        5.3.4 基于DTMOS模拟多路复用器的版图第56-57页
        5.3.5 基于DTMOS施密特触发器的版图第57-58页
    5.4 本章小结第58-59页
结论第59-61页
参考文献第61-68页
致谢第68页

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