中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
1.2 DTMOS技术国内外研究发展现状 | 第10-13页 |
1.2.1 国内发展现状 | 第11-12页 |
1.2.2 国外发展现状 | 第12-13页 |
1.3 今后的发展趋势 | 第13-14页 |
1.4 本课题研究的主要内容 | 第14页 |
1.5 本文的结构安排 | 第14-16页 |
第2章 正向体偏置技术 | 第16-23页 |
2.1 等比例缩小理论 | 第16-17页 |
2.1.1 尺寸缩小原理 | 第16-17页 |
2.1.2 小尺寸器件效应 | 第17页 |
2.2 正向体偏置动态阈值技术 | 第17-22页 |
2.2.1 动态阈值技术的种类与原理 | 第17-18页 |
2.2.2 动态阈值MOSFET的工作机理 | 第18-19页 |
2.2.3 动态阈值MOSFET的阈值电压和普通MOSFET的比较 | 第19-22页 |
2.3 DTMOS器件结构 | 第22页 |
2.4 本章小结 | 第22-23页 |
第3章 基于DTMOS技术两级运放的设计 | 第23-34页 |
3.1 改进DTMOS反相器 | 第24-26页 |
3.2 运算放大器及其性能指标 | 第26-29页 |
3.2.1 单级放大器 | 第26-27页 |
3.2.2 基本两级差分放大器 | 第27-29页 |
3.3 改进DTMOS运算放大器及仿真 | 第29-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-34页 |
第4章 多路复用器和施密特触发器的设计 | 第34-47页 |
4.1 模拟多路复用器的用途与工作原理 | 第34-38页 |
4.2 模拟多路复用器的设计与仿真 | 第38-41页 |
4.3 施密特触发器的应用与工作原理 | 第41-45页 |
4.5 本章小结 | 第45-47页 |
第5章 版图的设计 | 第47-59页 |
5.1 IC版图设计简介 | 第47-48页 |
5.2 版图设计规则 | 第48-52页 |
5.2.1 最小宽度 | 第48-49页 |
5.2.2 最小间距 | 第49页 |
5.2.3 最小交叠 | 第49页 |
5.2.4 设计规则检查 | 第49-50页 |
5.2.5 版图与电路图对照 | 第50-52页 |
5.3 各电路的版图设计 | 第52-58页 |
5.3.1 改进DTMOS技术反相器版图 | 第52-53页 |
5.3.2 单级差分运放版图 | 第53-54页 |
5.3.3 基于DTMOS两级差分运算放大器的版图 | 第54-56页 |
5.3.4 基于DTMOS模拟多路复用器的版图 | 第56-57页 |
5.3.5 基于DTMOS施密特触发器的版图 | 第57-58页 |
5.4 本章小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-68页 |
致谢 | 第68页 |