| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及进展 | 第10-14页 |
| 1.2 本论文的章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 材料制备与表征技术 | 第15-28页 |
| 2.1 纳米图形衬底制备技术 | 第15-21页 |
| 2.1.1 光刻技术 | 第15-16页 |
| 2.1.2 纳米压印技术 | 第16-17页 |
| 2.1.3 自组装技术 | 第17-20页 |
| 2.1.4 嵌段聚合物制备纳米图形衬底 | 第20-21页 |
| 2.2 量子点的制备工艺 | 第21-22页 |
| 2.3 半导体材料生长与表征技术 | 第22-27页 |
| 2.3.1 金属有机化学气相沉积 | 第22-23页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第23-25页 |
| 2.3.3 光致发光谱(PL) | 第25-26页 |
| 2.3.4 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.3.5 电化学CV(ECV) | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 利用嵌段聚合物自组装制备Si基纳米图形 | 第28-38页 |
| 3.1 方案简介 | 第28页 |
| 3.2 利用溶剂退火法制备Si基纳米图形 | 第28-37页 |
| 3.2.1 旋涂制备样品 | 第28-29页 |
| 3.2.2 样品退火 | 第29页 |
| 3.2.3 样品测试 | 第29页 |
| 3.2.4 嵌段聚合物微相分离原理 | 第29-31页 |
| 3.2.5 实验结果和分析 | 第31-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 DWELL结构激光器的实验研究 | 第38-52页 |
| 4.1 单层量子点的生长实验 | 第38-44页 |
| 4.1.1 单层InAs量子点的生长结构 | 第38-39页 |
| 4.1.2 生长温度 | 第39-40页 |
| 4.1.3 InAs沉积厚度 | 第40-42页 |
| 4.1.4 Ⅴ/Ⅲ比 | 第42-44页 |
| 4.1.5 InGaAs底层对InAs量子点生长的影响 | 第44页 |
| 4.2 多层量子点生长实验以及激光器性能表征 | 第44-51页 |
| 4.2.1 多层InAs量子点以及激光器的生长结构 | 第45-46页 |
| 4.2.2 多层InAs量子点发光特性的优化 | 第46-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |