| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米科技简介 | 第11-12页 |
| 1.3 纳米材料的特异性能 | 第12-14页 |
| 1.3.1 小尺寸效应 | 第12-13页 |
| 1.3.2 表面效应 | 第13页 |
| 1.3.3 量子尺寸效应 | 第13页 |
| 1.3.4 宏观量子隧道效应 | 第13页 |
| 1.3.5 介电限域效应 | 第13-14页 |
| 1.4 一维纳米材料的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.4.1 气相生长法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 液相生长法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 模板法 | 第16页 |
| 1.4.4 导向生长法 | 第16-17页 |
| 1.5 纳米材料在光电器件中的应用 | 第17-21页 |
| 1.5.1 纳米光波导 | 第17-19页 |
| 1.5.2 纳米光探测器 | 第19-20页 |
| 1.5.3 半导体异质结激光器 | 第20-21页 |
| 1.5.4 太阳能电池 | 第21页 |
| 1.6 本论文的研究目的、意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 1.6.1 论文的研究目的与意义 | 第21-22页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 CdS/CdSSe纳米带的合成及光学性质研究 | 第23-30页 |
| 2.1 研究背景 | 第23页 |
| 2.2 多层纳米带异质结的合成及发光特性研究 | 第23-26页 |
| 2.2.1 材料制备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 结构表征 | 第24-26页 |
| 2.3 横向组分递变纳米带的合成及光学性质研究 | 第26-29页 |
| 2.3.1 实验过程 | 第26-27页 |
| 2.3.2 结构表征 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 轴向异质结纳米线的合成及光电性质研究 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 CdS/CdSxSe1-x异质结纳米线的制备及结构表征 | 第30-36页 |
| 3.2.1 实验试剂与设备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 CdS/CdSxSe1-x异质结纳米线的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.3 样品表征 | 第32-33页 |
| 3.2.4 光波导 | 第33-34页 |
| 3.2.5 低阈值受激发射 | 第34-36页 |
| 3.3 CdS/CdSxSe1-x异质结纳米线的宽谱光探测器研究 | 第36-41页 |
| 3.3.1 器件衬底 | 第36-38页 |
| 3.3.1.1 器件制备工艺 | 第36-37页 |
| 3.3.1.2 器件电极的制备和剥离 | 第37-38页 |
| 3.3.2 性能测试及研究 | 第38-40页 |
| 3.3.3 原理分析 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 结论与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 附录A (攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第53页 |
