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基于IGBT寄生参数的门极驱动技术

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第1章 绪论第10-13页
    1.1 IGBT的研究背景第10页
    1.2 IGBT门极驱动技术的现状第10-12页
    1.3 本文的主要工作及内容第12-13页
第2章 IGBT基本原理及关断反峰第13-23页
    2.1 IGBT的基本结构及工作原理第13-14页
        2.1.1 IGBT的基本结构第13页
        2.1.2 IGBT的开关原理第13-14页
    2.2 IGBT的基本特性及开关损耗第14-17页
        2.2.1 IGBT的静态特性第14页
        2.2.2 IGBT的动态特性第14-15页
        2.2.3 IGBT的开关损耗第15-17页
    2.3 门极驱动电路设计第17-20页
        2.3.1 驱动电压第17-19页
        2.3.2 门极电阻第19-20页
    2.4 关断反峰及产生机理第20-22页
        2.4.1 IGBT关断反峰的产生过程第20-21页
        2.4.2 反峰抑制第21-22页
    2.5 本章小结第22-23页
第3章 IGBT门极驱动电路电容反馈的设计与仿真第23-33页
    3.1 电容反馈原理第23-24页
    3.2 电容反馈门极驱动电路的仿真第24-28页
        3.2.1 反馈电容的选择第24-25页
        3.2.2 基于PSpice的电容反馈仿真电路第25-26页
        3.2.3 仿真分析第26-28页
    3.3 电容反馈门极驱动电路硬件设计第28-32页
        3.3.1 驱动芯片的选择第28-29页
        3.3.2 IGBT模块的使用第29-30页
        3.3.3 门极驱动主电路第30-32页
    3.4 本章小结第32-33页
第4章 IGBT门极驱动电路电感反馈的原理及电路设计第33-42页
    4.1 电感反馈驱动技术的原理第33-35页
    4.2 电感反馈门极驱动电路的硬件设计第35-40页
        4.2.1 IGBT模块选型第36页
        4.2.2 电感反馈门极驱动电路方案选择第36-39页
        4.2.3 电感反馈门极驱动技术硬件实现第39-40页
    4.3 本章小结第40-42页
第5章 实验平台搭建及结果分析第42-58页
    5.1 电容反馈实验第42-49页
        5.1.1 电容反馈实验平台第42-45页
        5.1.2 电容反馈实验结果第45-49页
    5.2 电感反馈实验第49-56页
        5.2.1 电感反馈实验平台第49-52页
        5.2.2 电感反馈实验结果第52-56页
    5.3 实验结果对比分析第56-57页
    5.4 本章小结第57-58页
结论第58-60页
参考文献第60-62页
作者简介第62-63页
致谢第63页

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