| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 钙钛矿型铁酸铋薄膜简介 | 第10-11页 |
| 1.2 阻变存储器 | 第11-13页 |
| 1.3 阻变效应主要机制 | 第13-17页 |
| 1.3.1 导电细丝模型 | 第14-15页 |
| 1.3.2 陷阱能级对电荷的捕获和释放 | 第15页 |
| 1.3.3 极化调制阻变模型 | 第15-16页 |
| 1.3.4 氧空位调制（肖特基）界面势垒模型 | 第16-17页 |
| 1.4 研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文研究意义及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 铁酸铋薄膜基本电学表征及分析 | 第20-32页 |
| 2.1 基于STO衬底的SRO/BFO/Au实验样品的制备 | 第20-22页 |
| 2.2 样品表征及结果分析 | 第22-30页 |
| 2.2.1 XRD分析及应力分析 | 第22-24页 |
| 2.2.2 电滞回线 | 第24-27页 |
| 2.2.3 印记分析 | 第27页 |
| 2.2.4 剩余极化保持特性 | 第27-29页 |
| 2.2.5 疲劳特性 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 铁酸铋薄膜的导电机制和阻变机制 | 第32-46页 |
| 3.1 铁酸铋薄膜的阻变现象 | 第32-33页 |
| 3.1.1 小于矫顽电压下的阻变现象 | 第32-33页 |
| 3.1.2 大于矫顽电压下的阻变现象 | 第33页 |
| 3.2 阻变薄膜的主要导电机制 | 第33-37页 |
| 3.2.1 欧姆导电机制 | 第34页 |
| 3.2.2 SCLC导电机制 | 第34-35页 |
| 3.2.3 FN导电机制 | 第35页 |
| 3.2.4 SE导电机制 | 第35-36页 |
| 3.2.5 PF导电机制 | 第36-37页 |
| 3.3 BFO薄膜的导电机制 | 第37-41页 |
| 3.4 阻变机制 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 极化对铁酸铋薄膜阻变效应的影响 | 第46-56页 |
| 4.1 极化翻转历史对铁电薄膜的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.1 极化翻转历史对铁电薄膜剩余极化的影响 | 第46-47页 |
| 4.1.2 极化翻转历史对铁电薄膜矫顽电压的影响 | 第47页 |
| 4.1.3 极化翻转历史对铁电薄膜印记效应的影响 | 第47-48页 |
| 4.2 极化翻转历史对阻变效应的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.1 阻变行为与电滞回线对比 | 第48-49页 |
| 4.2.2 原始未极化样品与极化后样品对比及TSC温度验证 | 第49-52页 |
| 4.2.3 相反极化状态对阻变曲线影响 | 第52-53页 |
| 4.3 极化对保持特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.1 铁酸铋薄膜阻变保持特性 | 第53-54页 |
| 4.3.2 相反极化状态下低阻态保持特性 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |