| 摘要 | 第12-14页 |
| ABSTRACT | 第14-15页 |
| 第1章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 n型氧化物半导体IGZO | 第18-21页 |
| 1.1.1 历史 | 第18页 |
| 1.1.2 光电性能 | 第18-20页 |
| 1.1.3 目前的应用 | 第20-21页 |
| 1.2 p型氧化物半导体SnO | 第21-25页 |
| 1.2.1 历史 | 第21-22页 |
| 1.2.2 光电性能 | 第22页 |
| 1.2.3 与其他p型金属氧化物的对比 | 第22-24页 |
| 1.2.4 目前的应用 | 第24-25页 |
| 1.3 介质Ta_2O_5 | 第25页 |
| 1.4 研究动机 | 第25-26页 |
| 第2章 氧化物半导体器件 | 第26-44页 |
| 2.1 薄膜晶体管(TFT) | 第26-36页 |
| 2.1.1 历史 | 第26-27页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第27-33页 |
| 2.1.3 非理想TFT | 第33-36页 |
| 2.2 肖特基势垒二极管(SBD) | 第36-42页 |
| 2.2.1 历史 | 第36页 |
| 2.2.2 工作原理 | 第36-42页 |
| 2.3 MIM二极管 | 第42-44页 |
| 2.3.1 历史 | 第42页 |
| 2.3.2 工作原理 | 第42-43页 |
| 2.3.3 应用 | 第43-44页 |
| 第3章 实验制备、表征与测量 | 第44-64页 |
| 3.1 衬底清洗 | 第44-47页 |
| 3.1.1 所需工具 | 第44页 |
| 3.1.2 所用洗液 | 第44页 |
| 3.1.3 工具的清洗 | 第44-45页 |
| 3.1.4 衬底具体清洗步骤 | 第45-47页 |
| 3.2 溅射 | 第47-49页 |
| 3.2.1 工作原理 | 第47-48页 |
| 3.2.2 防止靶材碎裂 | 第48-49页 |
| 3.2.3 防止靶材碎裂 | 第49页 |
| 3.3 电子束蒸发 | 第49-51页 |
| 3.3.1 工作原理 | 第49-50页 |
| 3.3.2 设备介绍 | 第50页 |
| 3.3.3 腔体的清洁 | 第50-51页 |
| 3.4 热蒸发 | 第51-52页 |
| 设备介绍 | 第51-52页 |
| 3.5 扫描电子显微镜 | 第52-55页 |
| 3.5.1 设备介绍 | 第52-53页 |
| 3.5.2 工作原理 | 第53-55页 |
| 3.6 Shadow Mask | 第55页 |
| 3.7 紫外曝光 | 第55-59页 |
| 3.7.1 历史 | 第56页 |
| 3.7.2 光刻胶 | 第56-57页 |
| 3.7.3 显影液 | 第57页 |
| 3.7.4 光刻板 | 第57-58页 |
| 3.7.5 光刻机 | 第58页 |
| 3.7.6 光刻流程 | 第58-59页 |
| 3.8 电子束曝光 | 第59-60页 |
| 3.8.1 工作原理 | 第59页 |
| 3.8.2 设备介绍 | 第59-60页 |
| 3.9 ICP干法刻蚀 | 第60-64页 |
| 3.9.1 历史 | 第60-61页 |
| 3.9.2 工作原理 | 第61页 |
| 3.9.3 设备介绍 | 第61-64页 |
| 第4章 实验部分 | 第64-96页 |
| 4.1 AR-P 5350光刻工艺条件的摸索 | 第64-70页 |
| 4.1.1 硅衬底上的光刻工艺条件的摸索 | 第64-69页 |
| 4.1.2 PEN衬底上光刻工艺的改进 | 第69-70页 |
| 4.1.3 小结 | 第70页 |
| 4.2 IGZO干法刻蚀条件的摸索 | 第70-77页 |
| 4.2.1 样品准备 | 第71页 |
| 4.2.2 刻蚀工艺摸索过程 | 第71-76页 |
| 4.2.3 小结 | 第76-77页 |
| 4.3 IGZO TFT | 第77-81页 |
| 4.3.1 实验步骤 | 第77-78页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第78-80页 |
| 4.3.3 小结 | 第80-81页 |
| 4.4 SnO SBD | 第81-92页 |
| 4.4.1 欧姆电极材料的选择 | 第81页 |
| 4.4.2 肖特基电极材料的选择 | 第81-82页 |
| 4.4.3 不同结构对SnO SBD的影响 | 第82-84页 |
| 4.4.4 不同肖特基金属和界面处理对整流特性的影响 | 第84-88页 |
| 4.4.5 不同厚度的SnO对SnO SBD的影响 | 第88-90页 |
| 4.4.6 Al-SnO接触的能带结构 | 第90-91页 |
| 4.4.7 小结 | 第91-92页 |
| 4.5 Ta_2O_5MIM二极管 | 第92-94页 |
| 4.5.1 实验步骤 | 第92-93页 |
| 4.5.2 实验结果与比较 | 第93-94页 |
| 4.6 无源13.56 MHz RFID标签电源 | 第94-96页 |
| 第5章 总结和展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第106-107页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第107页 |