| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 量子点发光二极管的研究背景及现状 | 第12-18页 |
| 1.1.1 量子点发光二极管的研究背景 | 第12-13页 |
| 1.1.2 量子点发光二极管演变过程 | 第13-18页 |
| 1.2 QLEDs器件的发光机制 | 第18-20页 |
| 1.3 电子传输层 | 第20-24页 |
| 1.3.1 电子传输材料的概况 | 第20页 |
| 1.3.2 ZnO作为电子传输层具备的优异性能 | 第20-23页 |
| 1.3.3 电子传输材料的制备 | 第23-24页 |
| 1.4 目前存在的问题 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的研究思路和主要内容 | 第25-27页 |
| 1.5.1 本论文的研究思路 | 第25页 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 第二章 Zn_(1-x)Mg_xO纳米颗粒的制备及其性能研究 | 第34-42页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 2.2.1 实验仪器与表征仪器 | 第35页 |
| 2.2.2 实验试剂 | 第35页 |
| 2.2.3 Zn_(1-x)Mg_xO纳米颗粒的合成 | 第35-36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 2.3.1 Zn_(1-x)Mg_xO纳米颗粒的形貌 | 第36页 |
| 2.3.2 Zn_(1-x)Mg_xO纳米颗粒的XRD表征 | 第36-37页 |
| 2.3.3 Zn_(1-x)Mg_xO的吸收特性和透光性 | 第37-38页 |
| 2.3.4 Zn_(1-x)Mg_xO的荧光特性 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 Zn_(1-x)Mg_xO作为电子传输层在量子点发光二极管中的应用 | 第42-66页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第43页 |
| 3.2.2 实验仪器设备 | 第43-44页 |
| 3.2.3 QLED器件构筑 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-60页 |
| 3.3.1 器件结构示意图 | 第45-46页 |
| 3.3.2 QLED器件中各层成膜性研究 | 第46-49页 |
| 3.3.3 标准QLED器件性能研究 | 第49-50页 |
| 3.3.4 Zn_(1-x)Mg_xO在CdSe/CdS/ZnS红光QLEDs中的应用 | 第50-57页 |
| 3.3.5 Zn_(1-x)Mg_xO在CdSe@ZnS绿光QLEDs中的应用 | 第57-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Mg_xO:Cs_2CO_3作为电子传输层在CdSe/CdS/ZnS量子点发光二极管中的应用 | 第66-76页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 实验部分 | 第66-68页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第66-67页 |
| 4.2.2 实验仪器设备 | 第67页 |
| 4.2.3 QLED器件构筑 | 第67-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-72页 |
| 4.3.1 器件结构与能级示意图 | 第68-69页 |
| 4.3.2 Cs_2CO_3掺杂对Zn_(1-x)Mg_xO成膜质量的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.3 Zn_(1-x)Mg_xO: Cs_2CO_3对QLEDs器件性能的影响 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 总结 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
