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电子束蒸发倾斜沉积氧化铝薄膜结构与性质研究

摘要第5-7页
abstract第7-9页
第一章 绪论第12-36页
    1.1 研究背景第12-17页
        1.1.1 薄膜传感器的国内外研究现状第15-16页
        1.1.2 薄膜传感器研制技术难点第16-17页
    1.2 Al_2O_3薄膜研究现状第17-25页
        1.2.1 Al_2O_3的国内外研究现状第22-23页
        1.2.2 Al_2O_3薄膜的制备方法第23-25页
    1.3 薄膜应力研究现状第25-29页
        1.3.1 薄膜应力的起源与分类第26页
        1.3.2 控制薄膜应力的有效方法第26-29页
    1.4 倾斜沉积薄膜的微观结构及特性变化规律第29-34页
    1.5 论文选题依据及研究内容第34-36页
第二章 实验方法第36-47页
    2.1 Al_2O_3薄膜倾斜沉积制备方法第36-39页
    2.2 薄膜制备工艺第39-40页
    2.3 结构测试方法第40-43页
        2.3.1 X射线衍射分析(X-ray diffraction, XRD)第40-42页
        2.3.2 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)第42-43页
    2.4 性能测试方法第43-46页
        2.4.1 电学性能测试第43-44页
        2.4.2 透射率测试第44页
        2.4.3 应力的测试第44-45页
        2.4.4 热学性能测试第45-46页
    2.5 本章小结第46-47页
第三章 电子束蒸发氧化铝薄膜的微观结构第47-69页
    3.1 工艺参数对Al_2O_3薄膜形貌的影响第47-50页
        3.1.1 倾斜角度对Al_2O_3薄膜形貌的影响第47-48页
        3.1.2 基片温度对Al_2O_3薄膜形貌的影响第48-50页
    3.2 工艺参数对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第50-53页
        3.2.1 基片温度对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第50-51页
        3.2.2 沉积速率对Al_2O_3薄膜表面粗糙度的影响第51-52页
        3.2.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜表面粗化机理第52-53页
    3.3 倾斜沉积Al_2O_3薄膜的结晶形态第53-54页
    3.4 Al_2O_3薄膜的折射率第54-62页
    3.5 Al_2O_3薄膜的孔隙率第62-68页
        3.5.1 有效介质近似(Effective Medium Approximation)第62-65页
        3.5.2 OAD技术沉积Al_2O_3薄膜的有效孔隙率第65-68页
    3.6 本章小结第68-69页
第四章 电子束蒸发氧化铝薄膜的性能第69-86页
    4.1 Al_2O_3薄膜残余应力研究第69-74页
        4.1.1 薄膜残余应力计算方法第69-71页
        4.1.2 Al_2O_3薄膜残余应力第71-74页
    4.2 Al_2O_3薄膜热导率研究第74-81页
        4.2.1 3ω 法的测试原理第74-76页
        4.2.2 Al_2O_3薄膜的热导率第76-81页
    4.3 Al_2O_3薄膜电导率研究第81-84页
        4.3.1 电导率的计算方法第81-82页
        4.3.2 Al_2O_3薄膜的电导率第82-84页
    4.4 本章小结第84-86页
第五章 绝缘层薄膜建构的探索第86-109页
    5.1 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层的组合第86-96页
        5.1.1 倾斜沉积MgO薄膜的微观结构与应力第88-92页
        5.1.2 MgO缓冲层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能第92-96页
    5.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层的组合第96-102页
        5.2.1 倾斜沉积Al_2O_3薄膜对MgO薄膜结构的影响第96-97页
        5.2.2 MgO填充层与Al_2O_3绝缘层组合薄膜的性能第97-102页
    5.3 Al_2O_3填充层与Al_2O_3绝缘层的组合第102-108页
    5.4 本章小结第108-109页
第六章 结论第109-111页
致谢第111-112页
参考文献第112-128页
攻读博士学位期间取得的成果第128-129页
附录第129-131页

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