开关电源传导EMI建模和模型有效性评估
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 传导EMI产生传递机理 | 第10页 |
| 1.2.2 传导EMI建模 | 第10-11页 |
| 1.2.3 传导EMI测试 | 第11-12页 |
| 1.2.4 传导EMI抑制 | 第12-13页 |
| 1.2.5 模型有效性评估 | 第13页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 开关电源传导EMI测量和结果分析 | 第15-26页 |
| 2.1 反激开关电源设计 | 第15-16页 |
| 2.2 传导EMI测试平台 | 第16-17页 |
| 2.3 传导EMI测试结果 | 第17-25页 |
| 2.3.1 功率MOSFET开关过程Q1 振荡 | 第18-21页 |
| 2.3.2 功率MOSFET开关过程Q2 振荡 | 第21-22页 |
| 2.3.3 开关频率对传导EMI的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.4 次级二极管振荡对传导EMI的影响 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 适用传导EMI分析的变压器高频模型 | 第26-40页 |
| 3.1 绕组漏感 | 第26-29页 |
| 3.1.1 短路法测量绕组漏感 | 第27页 |
| 3.1.2 短路法电路等效模型 | 第27-28页 |
| 3.1.3 短路法数据校正 | 第28-29页 |
| 3.2 绕组匝间寄生电容 | 第29-31页 |
| 3.3 绕组分布电容 | 第31-34页 |
| 3.4 绕组对屏蔽层电容 | 第34-38页 |
| 3.5 绕组电阻 | 第38-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 传导EMI仿真 | 第40-51页 |
| 4.1 功率二级管模型 | 第40-41页 |
| 4.2 功率MOSFET模型 | 第41-43页 |
| 4.2.1 功率MOSFET模型 | 第41-42页 |
| 4.2.2 功率MOSFET散热片对地电容 | 第42-43页 |
| 4.3 PCB寄生参数提取 | 第43-47页 |
| 4.3.1 电容矩阵 | 第44-46页 |
| 4.3.2 电阻矩阵 | 第46-47页 |
| 4.4 Saber仿真 | 第47-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 传导EMI仿真结果评估和分析 | 第51-64页 |
| 5.1 视觉评估 | 第51-52页 |
| 5.2 FSV方法评估 | 第52-60页 |
| 5.2.1 数据预处理 | 第52-53页 |
| 5.2.2 滤波分解数据 | 第53-55页 |
| 5.2.3 幅值特性差别指数ADM | 第55-57页 |
| 5.2.4 信号特性差别指数FDM | 第57-59页 |
| 5.2.5 全局特性差别指数GDM | 第59-60页 |
| 5.3 评估结果总结 | 第60页 |
| 5.4 传导EMI仿真分析 | 第60-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
