| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·磁旋转编码器的分类 | 第9-11页 |
| ·增量型编码器 | 第10页 |
| ·绝对型编码器 | 第10-11页 |
| ·磁编码器研究的最新进展 | 第11-15页 |
| ·增量型磁编码器IC | 第11-12页 |
| ·基于磁传感阵列的CMOS旋转编码器 | 第12-15页 |
| ·论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 自旋阀型(Spin valve)巨磁电阻效应 | 第16-29页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第16-20页 |
| ·各向异性磁电阻效应 | 第16-17页 |
| ·多层膜巨磁电阻效应 | 第17-18页 |
| ·自旋阀效应 | 第18-19页 |
| ·隧穿磁电阻效应 | 第19-20页 |
| ·自旋阀效应的理论解释及模型 | 第20-22页 |
| ·自旋极化和自旋相关散射 | 第20-21页 |
| ·二流体模型 | 第21-22页 |
| ·自旋阀中铁磁/反铁磁双层膜的交换偏置 | 第22-28页 |
| ·铁磁层厚度的影响 | 第23-24页 |
| ·反铁磁层厚度的影响 | 第24-25页 |
| ·交换偏置理论模型 | 第25-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 自旋阀薄膜的研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·自旋阀薄膜的制备和测试平台 | 第29-31页 |
| ·磁电阻测试——四探针法 | 第30页 |
| ·磁性参数的测试——振动样品磁强计(VSM) | 第30-31页 |
| ·IrMn顶钉扎自旋阀薄膜材料的研究 | 第31-38页 |
| ·自由层对自旋阀性能的影响 | 第32-33页 |
| ·非磁性层对自旋阀性能的影响 | 第33-34页 |
| ·钉扎层对自旋阀性能的影响 | 第34-36页 |
| ·反铁磁层对自旋阀性能的影响 | 第36-38页 |
| ·NiFe/CoFe复合自由层对自旋阀性能的影响 | 第38-42页 |
| ·Cu缓冲层对自旋阀磁电阻率的影响 | 第38-39页 |
| ·NiFe层厚度对自旋阀磁电阻率的影响 | 第39-40页 |
| ·NiFe层厚度对自旋阀矫顽力的影响 | 第40-42页 |
| ·结果与结论 | 第42-43页 |
| 第四章 自旋阀传感器的制备及工作原理 | 第43-56页 |
| ·高精度磁编码器磁头的设计 | 第43-45页 |
| ·二倍频布局方案 | 第43-44页 |
| ·另一种二倍频布局方案 | 第44-45页 |
| ·自旋阀传感器的制备步骤 | 第45-46页 |
| ·自旋阀传感器的布局方案 | 第46-55页 |
| ·传感器的性能指标 | 第47-48页 |
| ·自旋阀单条传感器 | 第48-50页 |
| ·自旋阀三端传感器 | 第50-52页 |
| ·自旋阀惠斯顿桥传感器 | 第52-53页 |
| ·自旋阀传感器的改进设计 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 基于制备的自旋阀传感器的磁编码器系统 | 第56-70页 |
| ·磁编码器的结构 | 第56-58页 |
| ·磁鼓外围磁场分布的理论计算、分析 | 第57-58页 |
| ·磁编码器的信号处理电路设计 | 第58-66页 |
| ·信号放大、滤波、比较设计 | 第59-60页 |
| ·单片机信号处理设计 | 第60-64页 |
| ·程序设计原理框图 | 第64-65页 |
| ·进一步提高磁编码器精度的设想 | 第65-66页 |
| ·基于制备的自旋阀传感器的磁编码器的测试与分析 | 第66-69页 |
| ·输出信号的测试 | 第66-67页 |
| ·频率的精度 | 第67页 |
| ·磁头磁鼓间隙与信号输出的关系 | 第67-69页 |
| ·精确度 | 第69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第74-75页 |