| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 集成电路发展趋势 | 第12-14页 |
| 1.2 铜镶嵌工艺 | 第14-18页 |
| 1.3 低介电常数材料 | 第18-21页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法制备的低介电常数材料 | 第18-19页 |
| 1.3.2 旋涂式制备的低介电常数材料 | 第19-20页 |
| 1.3.3 低介电常数材料国内外应用现状 | 第20-21页 |
| 1.4 等离子体刻蚀 | 第21-26页 |
| 1.4.1 什么是等离子体 | 第21-22页 |
| 1.4.2 等离子体刻蚀工艺 | 第22-26页 |
| 2 低介电常数材料的等离子体去胶工艺 | 第26-34页 |
| 2.1 等离子体去胶简介 | 第26-27页 |
| 2.2 低介电常数材料的去胶工艺简介 | 第27-32页 |
| 2.2.1 顺游式等离子体去胶 | 第28-29页 |
| 2.2.2 原位等离子体去胶 | 第29-32页 |
| 2.3 等离子体去胶对低介电常数材料的损伤测量方法 | 第32-34页 |
| 3 原位等离子体去胶对低介电常数材料损伤的优化 | 第34-49页 |
| 3.1 原位去胶气源选择 | 第34-38页 |
| 3.2 等离子体去胶对低介电常数材料损伤的实验方法 | 第38-40页 |
| 3.3 等离子体去胶对低介电常数材料损伤的分析 | 第40-47页 |
| 3.3.1 气体流量对低介电常数材料损伤的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 气体压力对低介电常数材料损伤的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 射频频率对低介电常数材料损伤的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 反应腔记忆效应的消除 | 第49-55页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 反应腔记忆效应的消除 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 总结和展望 | 第55-59页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 研究展望 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63-65页 |