摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 ITO薄膜的性质及应用 | 第14-19页 |
1.2.1 ITO薄膜的晶体结构 | 第14页 |
1.2.2 ITO薄膜的光学性能 | 第14-15页 |
1.2.3 ITO薄膜的电学性能 | 第15-19页 |
1.3 欧姆接触 | 第19-21页 |
1.3.1 肖特基势垒模型 | 第19-20页 |
1.3.2 金属-半导体接触中的载流子输运机制 | 第20-21页 |
1.4 国内外研究现状 | 第21-23页 |
1.4.1 国内研究现状 | 第22页 |
1.4.2 国外研究现状 | 第22-23页 |
1.5 本文的研究意义和研究内容 | 第23-25页 |
1.5.1 研究意义 | 第23页 |
1.5.2 研究内容 | 第23-25页 |
第二章 实验材料和方法 | 第25-36页 |
2.1 实验原材料 | 第25页 |
2.2 薄膜制备方法 | 第25-29页 |
2.2.1 磁控溅射原理 | 第25-26页 |
2.2.2 磁控溅射设备 | 第26-28页 |
2.2.3 溅射制备薄膜方法 | 第28-29页 |
2.3 薄膜性能测试方法 | 第29-36页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第29-30页 |
2.3.2 紫外-可见分光光度计 | 第30页 |
2.3.3 四探针方阻测试仪 | 第30-31页 |
2.3.4 霍尔效应测试仪 | 第31-32页 |
2.3.5 扫描电子显微镜 | 第32页 |
2.3.6 接触性能分析 | 第32-36页 |
第三章 ITO薄膜的制备及ITO/p-Si接触性能的研究 | 第36-54页 |
3.1 ITO薄膜的制备 | 第36-37页 |
3.2 衬底加温对ITO薄膜性能影响 | 第37-41页 |
3.2.1 衬底加温对ITO薄膜结晶性的影响 | 第37-38页 |
3.2.2 衬底加温对ITO薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
3.2.3 衬底加温对ITO薄膜电学性能的影响 | 第39页 |
3.2.4 衬底加温对ITO薄膜光学性能的影响 | 第39-41页 |
3.2.5 衬底加温对ITO/p-Si接触性能的影响 | 第41页 |
3.3 退火温度对ITO薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
3.3.1 退火温度对ITO薄膜结晶性的影响 | 第41-42页 |
3.3.2 退火温度对ITO薄膜表面形貌分析 | 第42-43页 |
3.3.3 退火温度对ITO薄膜电学性能的影响 | 第43-44页 |
3.3.4 退火温度对ITO薄膜光学性能的影响 | 第44-46页 |
3.4 退火温度对ITO/p-Si接触性能的影响 | 第46-49页 |
3.5 比接触电阻的测量 | 第49-52页 |
3.6 结论 | 第52-54页 |
第四章 退火处理对TiW/p-Si接触性能的研究 | 第54-64页 |
4.1 TiW合金薄膜的制备 | 第55页 |
4.2 TiW合金薄膜的成分分析 | 第55-56页 |
4.3 TiW/p-Si接触性能的分析 | 第56-59页 |
4.4 退火处理后TiW合金的微观结构分析 | 第59-61页 |
4.5 退火处理对TiW合金与轻掺杂p-Si接触性能的影响 | 第61-62页 |
4.6 TiW合金SEM图像分析 | 第62-63页 |
4.7 结论 | 第63-64页 |
第五章 ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究 | 第64-77页 |
5.1 ITO/TiW双层薄膜的制备 | 第65页 |
5.2 退火处理对TiW薄膜光学性能的影响 | 第65-67页 |
5.3 TiW膜厚对ITO/TiW双层薄膜性能的影响 | 第67-72页 |
5.3.1 TiW膜厚对ITO/TiW双层薄膜光学性能的影响 | 第67-68页 |
5.3.2 TiW膜厚对ITO/TiW双层薄膜电学性能的影响 | 第68-70页 |
5.3.3 TiW膜厚对ITO/TiW双层薄膜品质因子的影响 | 第70-71页 |
5.3.4 TiW膜厚度对ITO/TiW双层薄膜结构特性的影响 | 第71-72页 |
5.4 ITO膜厚对ITO/TiW双层薄膜光电性能的影响 | 第72-74页 |
5.5 ITO/TiW/p-Si接触性能研究 | 第74-75页 |
5.6 本章小结 | 第75-77页 |
第六章 结论与展望 | 第77-79页 |
6.1 结论 | 第77-78页 |
6.2 展望 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
攻读学位期间取得的学术成果 | 第86页 |