近阈值8管存储器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 低功耗技术的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 工艺波动的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文研究内容及结构安排 | 第12-14页 |
| 第2章 新型8管单元的设计和分析 | 第14-33页 |
| 2.1 存储单元结构 | 第14-19页 |
| 2.1.1 标准6管单元的结构 | 第14-16页 |
| 2.1.2 新型8管SRAM的结构及工作原理 | 第16-19页 |
| 2.2 近阈值电压下存储器性能分析 | 第19-28页 |
| 2.2.1 近阈值电压的介绍 | 第19-20页 |
| 2.2.2 功耗分析 | 第20-21页 |
| 2.2.3 读写延时分析 | 第21-22页 |
| 2.2.4 噪声容限的分析 | 第22-28页 |
| 2.3 近阈值下工艺波动的影响 | 第28-31页 |
| 2.3.1 工艺波动的介绍 | 第28页 |
| 2.3.2 工艺波动对6管和8管SRAM的影响 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 SRAM外围电路的设计 | 第33-46页 |
| 3.1 SRAM整体电路的设计 | 第33-35页 |
| 3.1.1 端口信息 | 第33-34页 |
| 3.1.2 整体结构 | 第34-35页 |
| 3.2 存储阵列设计 | 第35-36页 |
| 3.3 译码电路的设计 | 第36-38页 |
| 3.4 灵敏放大器的设计 | 第38-41页 |
| 3.5 列选择电路设计 | 第41-43页 |
| 3.6 行选择电路 | 第43-44页 |
| 3.7 读出电路设计 | 第44页 |
| 3.8 预充电路 | 第44-45页 |
| 3.9 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 仿真结果与版图设计 | 第46-59页 |
| 4.1 功能仿真 | 第46-49页 |
| 4.1.1 存储单元功能仿真 | 第46-48页 |
| 4.1.2 整体电路功能仿真 | 第48-49页 |
| 4.2 功耗和工作频率分析 | 第49-50页 |
| 4.3 版图设计 | 第50-57页 |
| 4.3.1 SRAM单元版图设计 | 第50-51页 |
| 4.3.2 外围电路版图 | 第51-56页 |
| 4.3.3 整体电路版图 | 第56-57页 |
| 4.4 版图验证 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
