基于GaAs工艺的2W宽带功率放大器的研究与设计
摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3页 |
第1章 绪论 | 第5-12页 |
1.1 4G技术简介 | 第5-6页 |
1.2 射频功率放大器的研究进展和分类 | 第6-8页 |
1.3 射频功率器件的发展 | 第8-11页 |
1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第11-12页 |
第2章 射频功率放大器设计技术及关键问题分析 | 第12-29页 |
2.1 功率放大器的定义与分类 | 第12-15页 |
2.2 功率放大器的主要指标 | 第15-19页 |
2.3 器件形式的选择以及HBT器件的工作原理 | 第19-23页 |
2.4 宽带线性功率放大器设计关键技术和设计方法 | 第23-25页 |
2.5 功率放大器设计关键问题的研究 | 第25-28页 |
2.6 本章小结 | 第28-29页 |
第3章 功率放大器电路拓扑结构的设计 | 第29-52页 |
3.1 设计目标及流程 | 第29-30页 |
3.2 晶体管管芯选择 | 第30-33页 |
3.3 偏置电路的设计 | 第33-37页 |
3.4 匹配电路的设计 | 第37-42页 |
3.5 第二级放大器的设计 | 第42-47页 |
3.6 第一级放大器的设计 | 第47-48页 |
3.7 两级放大器级联设计 | 第48-49页 |
3.8 版图设计与仿真验证 | 第49-50页 |
3.9 本章小结 | 第50-52页 |
第4章 功率放大器仿真结果和分析 | 第52-69页 |
4.1 小信号仿真分析 | 第52-58页 |
4.2 大信号仿真分析 | 第58-61页 |
4.3 EM仿真结果与分析 | 第61-65页 |
4.4 其他指标测试与仿真 | 第65-67页 |
4.5 本章小结 | 第67-69页 |
第5章 总结和展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
致谢 | 第74-75页 |