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基于GaAs工艺的2W宽带功率放大器的研究与设计

摘要第2-3页
Abstract第3页
第1章 绪论第5-12页
    1.1 4G技术简介第5-6页
    1.2 射频功率放大器的研究进展和分类第6-8页
    1.3 射频功率器件的发展第8-11页
    1.4 本论文的研究意义和主要内容第11-12页
第2章 射频功率放大器设计技术及关键问题分析第12-29页
    2.1 功率放大器的定义与分类第12-15页
    2.2 功率放大器的主要指标第15-19页
    2.3 器件形式的选择以及HBT器件的工作原理第19-23页
    2.4 宽带线性功率放大器设计关键技术和设计方法第23-25页
    2.5 功率放大器设计关键问题的研究第25-28页
    2.6 本章小结第28-29页
第3章 功率放大器电路拓扑结构的设计第29-52页
    3.1 设计目标及流程第29-30页
    3.2 晶体管管芯选择第30-33页
    3.3 偏置电路的设计第33-37页
    3.4 匹配电路的设计第37-42页
    3.5 第二级放大器的设计第42-47页
    3.6 第一级放大器的设计第47-48页
    3.7 两级放大器级联设计第48-49页
    3.8 版图设计与仿真验证第49-50页
    3.9 本章小结第50-52页
第4章 功率放大器仿真结果和分析第52-69页
    4.1 小信号仿真分析第52-58页
    4.2 大信号仿真分析第58-61页
    4.3 EM仿真结果与分析第61-65页
    4.4 其他指标测试与仿真第65-67页
    4.5 本章小结第67-69页
第5章 总结和展望第69-70页
参考文献第70-74页
致谢第74-75页

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