| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体与霍尔家族的渊源 | 第13-17页 |
| 1.1.1 霍尔效应 | 第13-14页 |
| 1.1.2 量子霍尔效应 | 第14-15页 |
| 1.1.3 拓扑绝缘体 | 第15-16页 |
| 1.1.4 量子反常霍尔效应 | 第16页 |
| 1.1.5 实现反常量子霍尔效应的途径 | 第16-17页 |
| 1.2 拓扑绝缘体Bi_2Se_3基异质结的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2.1 Bi_2Se_3基异质结的制备方法 | 第17页 |
| 1.2.2 Bi_2Se_3基异质结的类型 | 第17-18页 |
| 1.3 本文的研究思路及主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第20-29页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| 2.2 溅射过程中影响薄膜质量的因素 | 第21-22页 |
| 2.3 薄膜的三种生长模式 | 第22-23页 |
| 2.4 样品的制备 | 第23-25页 |
| 2.4.1 Bi_2Se_3薄膜样品的制备 | 第23-24页 |
| 2.4.2 Bi_2Se_3/La_(1-x)Sr_xMnO_3异质结的制备 | 第24页 |
| 2.4.3 Bi_2Se_3/FeSe_2异质结的制备 | 第24-25页 |
| 2.5 表征方法 | 第25-28页 |
| 2.5.1 X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.5.2 膜厚台阶仪 | 第26-27页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.5.4 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.5.5 物性测量系统 | 第28页 |
| 2.6 小结 | 第28-29页 |
| 第3章 Bi_2Se_3/La_(1-x)Sr_xMnO_3异质结的性能研究 | 第29-48页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 不同Bi_2Se_3厚度下Bi_2Se_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3异质结的性能研究 | 第29-39页 |
| 3.2.1 Bi_2Se_3薄膜的工艺探索及性能研究 | 第29-34页 |
| 3.2.2 Bi_2Se_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3异质结 | 第34-39页 |
| 3.3 不同La_(1-x)Sr_xMnO_3厚度下Bi_2Se_3/La_(1-x)Sr_xMnO_3异质结性能研究 | 第39-46页 |
| 3.3.1 La(1-x)Sr_xMnO_3薄膜的后退火工艺探索及性能研究 | 第39-41页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3/La_(1-x)Sr_xMnO_3异质结 | 第41-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-48页 |
| 第4章 Bi_2Se_3/FeSe_x异质结的特性研究 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 FeSe_2薄膜的后退火工艺探索 | 第48-52页 |
| 4.2.1 FeSe_2薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 FeSe_2薄膜的结构分析 | 第49页 |
| 4.2.3 FeSe_2薄膜的形貌分析 | 第49-51页 |
| 4.2.4 FeSe_2薄膜的磁输运特性分析 | 第51-52页 |
| 4.3 Bi_2Se_3/FeSe_2异质结 | 第52-55页 |
| 4.3.1 Bi_2Se_3/FeSe_2异质结的制备 | 第52页 |
| 4.3.2 样品的物性分析 | 第52-53页 |
| 4.3.3 样品的形貌分析 | 第53-54页 |
| 4.3.4 样品的磁输运特性分析 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 透明Bi_2Se_3薄膜的探索 | 第57-61页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 透明Bi_2Se_3薄膜的制备 | 第57页 |
| 5.3 透明Bi_2Se_3薄膜的结构分析 | 第57-58页 |
| 5.4 透明Bi_2Se_3薄膜的形貌分析 | 第58-60页 |
| 5.5 小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
