| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 硅烯结构及其特点 | 第8-10页 |
| 1.1.1 硅烯能带结构 | 第8-10页 |
| 1.1.2 硅烯几何结构 | 第10页 |
| 1.2 硅烯制备及应用前景 | 第10-13页 |
| 1.2.1 硅烯制备 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅烯应用前景 | 第11-13页 |
| 2 理论模型及研究方法 | 第13-20页 |
| 2.1 紧束缚模型 | 第13-14页 |
| 2.1.1 无磁场作用的紧束缚模型 | 第13页 |
| 2.1.2 垂直磁场作用下的紧束缚模型 | 第13-14页 |
| 2.2 自旋轨道耦合 | 第14-15页 |
| 2.2.1 内禀自旋轨道耦合 | 第14页 |
| 2.2.2 外禀自旋轨道耦合 | 第14-15页 |
| 2.3 垂直电场以及交换场作用 | 第15页 |
| 2.4 Chern number（陈数）计算方法 | 第15-16页 |
| 2.5 Green函数方法 | 第16-18页 |
| 2.6 量子自旋Hall效应 | 第18-19页 |
| 2.7 量子谷Hall效应 | 第19-20页 |
| 3 双层硅烯中的拓扑绝缘态 | 第20-27页 |
| 3.1 引言 | 第20-21页 |
| 3.2 理论模型 | 第21-22页 |
| 3.3 强拓扑绝缘态及拓扑相变 | 第22-26页 |
| 3.4 内禀自旋轨道耦合对强拓扑绝缘态的影响 | 第26页 |
| 3.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 4 双层二维六角晶格中的量子谷Hall态 | 第27-35页 |
| 4.1 引言 | 第27-28页 |
| 4.2 理论模型 | 第28-29页 |
| 4.3 拓扑态和拓扑相变 | 第29-33页 |
| 4.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 5 非均匀电场作用下铁磁硅烯中的自旋空间分离及自旋过滤 | 第35-47页 |
| 5.1 引言 | 第35-37页 |
| 5.2 理论模型 | 第37页 |
| 5.3 界面态、自旋分离及过滤电流 | 第37-43页 |
| 5.3.1 CT-不变量子自旋Hall效应 | 第37-40页 |
| 5.3.2 边界态部分分离 | 第40-41页 |
| 5.3.3 边界态完全分离 | 第41-43页 |
| 5.4 电场调控下的拓扑相变 | 第43-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 6 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-59页 |
| 攻读硕士学位期间所做的工作 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |