| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 场效应晶体管的简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 场效应晶体管的基本原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 场效应晶体管的基本结构 | 第10-11页 |
| 1.2.3 场效应晶体管的基本参数 | 第11页 |
| 1.3 有机薄膜场效应晶体管 | 第11-15页 |
| 1.3.1 有机薄膜场效应晶体管的介绍 | 第11-13页 |
| 1.3.2 有机薄膜场效应晶体管的薄膜制备 | 第13-15页 |
| 1.4 柔弹性有机薄膜场效应晶体管的介绍 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的选题依据和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 并五苯薄膜场效应晶体管的研究 | 第18-30页 |
| 2.1 并五苯薄膜场效应晶体管 | 第18-21页 |
| 2.1.1 并五苯概述 | 第18-19页 |
| 2.1.2 并五苯薄膜场效应晶体管制备及其稳定性研究 | 第19-21页 |
| 2.2 沉积温度对并五苯薄膜场效应晶体管性能的影响 | 第21-22页 |
| 2.3 原料纯度对并五苯薄膜场效应晶体管性能的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.1 并五苯提纯过程 | 第22-23页 |
| 2.3.2 提纯后器件的性能 | 第23-24页 |
| 2.4 绝缘层对并五苯薄膜晶体管性能的影响 | 第24-29页 |
| 2.4.1 OTS/SiO_2绝缘层 | 第24-26页 |
| 2.4.2 PS绝缘层 | 第26-27页 |
| 2.4.3 PDMS绝缘层 | 第27-29页 |
| 2.5 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 以PDMS绝缘层构筑并五苯薄膜场效应晶体管 | 第30-44页 |
| 3.1 基于对PDMS绝缘层修饰构筑并五苯薄膜场效应晶体管 | 第30-33页 |
| 3.2 PDMS表面羟基化的方法 | 第33-37页 |
| 3.2.1 强氧化剂羟基化 | 第34页 |
| 3.2.2 CPO方法羟基化 | 第34-35页 |
| 3.2.3 氧等离子处理羟基化 | 第35-37页 |
| 3.3 羟基化的PDMS的OTS修饰及性能优化 | 第37-43页 |
| 3.3.1 液相修饰 | 第37-38页 |
| 3.3.2 反应釜修饰 | 第38-40页 |
| 3.3.3 真空干燥箱修饰 | 第40-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 以PDMS绝缘层构筑柔性可贴合并五苯薄膜晶体管 | 第44-54页 |
| 4.1 柔性并五苯有机薄膜场效应晶体管 | 第44-46页 |
| 4.2 可贴合性并五苯薄膜场效应晶体管 | 第46-53页 |
| 4.2.1 迭片电极的制作过程 | 第46-49页 |
| 4.2.2 PS衬底蒸镀并五苯与迭片电极结合 | 第49-51页 |
| 4.2.3 迭片电极直接蒸镀并五苯薄膜 | 第51-53页 |
| 4.3 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
