| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-13页 |
| 1.1 课题背景 | 第6页 |
| 1.2 AlN的结构 | 第6-7页 |
| 1.3 AlN薄膜的性能及应用 | 第7-9页 |
| 1.3.1 AlN薄膜的性能 | 第7-8页 |
| 1.3.2 AlN薄膜的应用 | 第8-9页 |
| 1.4 AlN薄膜的制备方法 | 第9-10页 |
| 1.5 AlN薄膜择优取向的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.6 本文研究的目的及内容 | 第11-13页 |
| 2 实验设备与薄膜表征方法 | 第13-22页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第13-14页 |
| 2.2 MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射系统 | 第14-17页 |
| 2.2.1 MW-ECR等离子体源的产生原理和优点 | 第14-15页 |
| 2.2.2 MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射装置 | 第15-17页 |
| 2.3 AlN薄膜的制备流程 | 第17-18页 |
| 2.3.1 实验前的准备 | 第17-18页 |
| 2.3.2 实验操作流程 | 第18页 |
| 2.4 薄膜的测量与表征方法 | 第18-22页 |
| 2.4.1 傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR） | 第18-19页 |
| 2.4.2 台阶仪 | 第19-20页 |
| 2.4.3 X射线衍射仪（XRD） | 第20-22页 |
| 3 利用MW-ECR等离子体增强磁控溅射法制备AlN薄膜材料 | 第22-35页 |
| 3.1 AlN薄膜的制备 | 第22页 |
| 3.2 沉积温度对AlN薄膜的影响 | 第22-26页 |
| 3.2.1 沉积温度对AlN薄膜化学结构的影响 | 第23-24页 |
| 3.2.2 沉积温度对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第24-25页 |
| 3.2.3 沉积温度对AlN薄膜晶体结构的影响 | 第25-26页 |
| 3.3 射频功率对AlN薄膜的影响 | 第26-30页 |
| 3.3.1 射频功率对AlN薄膜化学结构的影响 | 第27-28页 |
| 3.3.2 射频功率对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第28页 |
| 3.3.3 射频功率对AlN薄膜晶体结构的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 工作气压对AlN薄膜的影响 | 第30-34页 |
| 3.4.1 工作气压对AlN薄膜化学结构的影响 | 第30-32页 |
| 3.4.2 工作气压对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第32页 |
| 3.4.3 工作气压对AlN薄膜晶体结构的影响 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 沉积速率对AlN薄膜择优取向及晶粒尺寸的影响 | 第35-44页 |
| 4.1 AlN薄膜择优取向生长机制 | 第35-36页 |
| 4.2 微波功率对AlN薄膜的影响 | 第36-39页 |
| 4.2.1 微波功率对AlN薄膜化学结构的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.2 微波功率对AlN薄膜晶体结构的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.3 沉积速率对AlN薄膜晶粒尺寸的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 靶基距对AlN薄膜的影响 | 第39-43页 |
| 4.3.1 靶基距对AlN薄膜化学结构的影响 | 第39-40页 |
| 4.3.2 靶基距对AlN薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.3 沉积速率对AlN薄膜晶粒尺寸的影响 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
