| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-42页 |
| 1.1 忆阻器 | 第11-21页 |
| 1.1.1 忆阻器简介 | 第11-15页 |
| 1.1.2 忆阻器的忆阻行为 | 第15-17页 |
| 1.1.3 忆阻器的主要机制 | 第17-21页 |
| 1.2 NiO的忆阻行为 | 第21-28页 |
| 1.2.1 NiO的缺陷化学 | 第22-24页 |
| 1.2.2 NiO的单极性忆阻行为 | 第24-26页 |
| 1.2.3 NiO的双极性忆阻行为 | 第26-28页 |
| 1.3 纳米器件的忆阻行为 | 第28-32页 |
| 1.3.1 利用导电原子力显微镜表征的忆阻行为 | 第28-30页 |
| 1.3.2 自组装纳米结构的忆阻行为 | 第30-32页 |
| 1.4 忆阻器的应用 | 第32-40页 |
| 1.4.1 概述 | 第33-35页 |
| 1.4.2 应用中的串扰问题及其解决方法 | 第35-40页 |
| 1.5 本论文的选题思路和研究内容 | 第40-42页 |
| 第2章 实验方法 | 第42-60页 |
| 2.1 样品制备 | 第42-47页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积 | 第42-45页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第45-47页 |
| 2.2 结构表征及物性测量 | 第47-60页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第47-50页 |
| 2.2.2 导电原子力显微镜 | 第50-51页 |
| 2.2.3 电子显微镜及电子能量损失谱 | 第51-58页 |
| 2.2.4 X射线衍射分析 | 第58-60页 |
| 第3章 NiO双极性忆阻行为的机制 | 第60-81页 |
| 3.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.2 NiO薄膜的生长和表征 | 第61-63页 |
| 3.3 NiO薄膜的双极性忆阻行为 | 第63-72页 |
| 3.3.1 NiO薄膜的忆阻器特性 | 第63-66页 |
| 3.3.2 NiO双极性忆阻行为对薄膜厚度和生长氧压的依赖 | 第66-69页 |
| 3.3.3 NiO双极性忆阻行为对测量环境氧压的依赖 | 第69-72页 |
| 3.4 NiO薄膜的离子空位表征 | 第72-77页 |
| 3.4.1 阴离子空位的表征 | 第74-75页 |
| 3.4.2 阳离子空位的表征 | 第75-77页 |
| 3.5 机制和讨论 | 第77-80页 |
| 3.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 第4章 NiO纳米点的固有整流的阻变效应 | 第81-104页 |
| 4.1 引言 | 第81-82页 |
| 4.2 NiO纳米点的制备和表征 | 第82-86页 |
| 4.2.1 利用超薄多孔氧化铝模板制备NiO纳米点阵 | 第82-84页 |
| 4.2.2 NiO纳米点的形貌及结构表征 | 第84-86页 |
| 4.3 NiO纳米点的固有整流的忆阻行为 | 第86-92页 |
| 4.3.1 两种固有整流的忆阻行为 | 第86-91页 |
| 4.3.2 忆阻行为的性能参数 | 第91-92页 |
| 4.4 机制及讨论 | 第92-99页 |
| 4.4.1 大气和真空环境下的比较实验 | 第92-94页 |
| 4.4.2 界面机制的排除 | 第94-96页 |
| 4.4.3 内建同型同质主导的机制 | 第96-99页 |
| 4.5 最大存储阵列的计算 | 第99-103页 |
| 4.6 本章小结 | 第103-104页 |
| 第5章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 5.1 研究总结 | 第104-105页 |
| 5.2 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第121页 |
| 个人简历 | 第121页 |
| 发表的学术论文 | 第121页 |
