| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 太阳能电池研究背景 | 第15页 |
| 1.2 太阳能电池发展概况及InGaN电池 | 第15-18页 |
| 1.3 InGaN电池面对的困难 | 第18-19页 |
| 1.3.1 InGaN材料质量 | 第18-19页 |
| 1.3.2 P型掺杂 | 第19页 |
| 1.3.3 P型GaN的欧姆接触 | 第19页 |
| 1.4 InGaN太阳能电池的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.5 本文研究内容与结构 | 第21-23页 |
| 第二章 太阳能电池基本理论及材料的生长与表征 | 第23-37页 |
| 2.1 太阳能电池基本理论 | 第23-29页 |
| 2.1.1 太阳能电池基本原理 | 第23-25页 |
| 2.1.2 太阳能光谱与大气质量 | 第25-26页 |
| 2.1.3 表征太阳能电池的参数 | 第26-29页 |
| 2.2 材料的生长与表征方法 | 第29-37页 |
| 2.2.1 材料的生长 | 第29-30页 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射（HRXRD）基本原理 | 第30-32页 |
| 2.2.3 光致发光谱 | 第32-34页 |
| 2.2.4 原子力显微镜扫描 | 第34-37页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱结构对太阳能电池性能的影响 | 第37-53页 |
| 3.1 晶体质量分析 | 第38-42页 |
| 3.2 晶体的光致发光谱分析 | 第42-44页 |
| 3.3 光吸收强度分析 | 第44页 |
| 3.4 晶体表面分析 | 第44-46页 |
| 3.5 材料对InGaN太阳能电池的影响 | 第46-51页 |
| 3.5.1 InGaN/GaN周期数和InGaN等效厚度对太阳能电池的影响 | 第46-48页 |
| 3.5.2 多量子阱i层厚度对太阳能电池的影响 | 第48-51页 |
| 3.6 本章总结 | 第51-53页 |
| 第四章 器件结构对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的影响 | 第53-69页 |
| 4.1 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备 | 第53-57页 |
| 4.1.1 光刻板版图设计 | 第53-54页 |
| 4.1.2 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池制作流程 | 第54-57页 |
| 4.2 刻蚀深度对InGaN/GaN多量子太阳能电池效率的影响 | 第57-61页 |
| 4.3 p区电极图形对太阳能电池效率的影响 | 第61-65页 |
| 4.3.1 p条形电极数量对太阳能电池效率的影响 | 第61-63页 |
| 4.3.2 p接触电极数量对太阳能电池效率的影响 | 第63-65页 |
| 4.4 芯片单元面积对太阳能电池效率的影响 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-73页 |
| 5.1 本文总结 | 第69-70页 |
| 5.2 本文存在的不足 | 第70-71页 |
| 5.3 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-81页 |
