| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2 ZnO薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.2.1 磁控溅射法 | 第13-14页 |
| 1.2.2 化学气相沉积 | 第14页 |
| 1.2.3 脉冲激光沉积 | 第14-15页 |
| 1.2.4 分子束外延 | 第15页 |
| 1.2.5 喷雾热分解 | 第15页 |
| 1.2.6 溶胶-凝胶法 | 第15-16页 |
| 1.3 ZnO薄膜的应用 | 第16-18页 |
| 1.3.1 紫外探测器 | 第16页 |
| 1.3.2 发光二极管 | 第16页 |
| 1.3.3 太阳能电池 | 第16-17页 |
| 1.3.4 表面声波器件 | 第17页 |
| 1.3.5 气敏传感器 | 第17页 |
| 1.3.6 压敏电阻器 | 第17-18页 |
| 1.4 ZnO薄膜压敏电阻 | 第18-21页 |
| 1.4.1 压敏电阻的电学性能 | 第18-20页 |
| 1.4.2 ZnO薄膜压敏电阻的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文研究目的及意义 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方案 | 第24-30页 |
| 2.1 镀膜系统 | 第24页 |
| 2.2 实验材料及设备 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第24-25页 |
| 2.2.2 样品制备过程中所用到的设备 | 第25-26页 |
| 2.3 实验方案 | 第26-28页 |
| 2.4 测试分析方法 | 第28-30页 |
| 2.4.1 微观结构与形貌 | 第28页 |
| 2.4.2 结构和成分分析 | 第28-29页 |
| 2.4.3 光致发光光谱 | 第29页 |
| 2.4.4 电学性能分析 | 第29-30页 |
| 第3章 磁控溅射工艺对缺氧型氧化锌薄膜电学性能的影响机制 | 第30-60页 |
| 3.1 O_2/Ar对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响 | 第31-40页 |
| 3.1.1 O_2/Ar对ZnO_(1-x)薄膜微观结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.2 O_2/Ar对ZnO_(1-x)薄膜化学组成和缺陷的影响 | 第32-39页 |
| 3.1.3 O_2/Ar对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响及其导电机理 | 第39-40页 |
| 3.2 溅射气压对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响 | 第40-50页 |
| 3.2.1 溅射气压对ZnO_(1-x)薄膜微观结构的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.2 溅射气压对ZnO_(1-x)薄膜化学组成和缺陷的影响 | 第43-49页 |
| 3.2.3 溅射气压对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响及其导电机理 | 第49-50页 |
| 3.3 溅射功率对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响 | 第50-59页 |
| 3.3.1 溅射功率对ZnO_(1-x)薄膜微观结构的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.2 溅射功率对ZnO_(1-x)薄膜化学组成和缺陷的影响 | 第52-57页 |
| 3.3.3 溅射功率对ZnO_(1-x)薄膜电学性能的影响及其导电机理 | 第57-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻的研制 | 第60-79页 |
| 4.1 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻：热浸温度的影响 | 第60-69页 |
| 4.1.1 热浸温度对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻微观结构和元素分布的影响 | 第60-63页 |
| 4.1.2 热浸温度对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻相组成和缺陷的影响 | 第63-65页 |
| 4.1.3 热浸温度对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏性能的影响 | 第65-68页 |
| 4.1.4 ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻的导电机理 | 第68-69页 |
| 4.2 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻：热浸时间的影响 | 第69-75页 |
| 4.2.1 热浸时间对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻微观结构和元素分布的影响 | 第69-71页 |
| 4.2.2 热浸时间对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻相组成和缺陷的影响 | 第71-73页 |
| 4.2.3 热浸时间对ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏性能的影响 | 第73-75页 |
| 4.3 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻 | 第75-78页 |
| 4.3.1 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻的化学成分 | 第75-76页 |
| 4.3.2 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻的元素分布 | 第76-77页 |
| 4.3.3 高性能ZnO_(1-x)-Bi_2O_3薄膜压敏电阻的压敏性能 | 第77-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的研制 | 第79-95页 |
| 5.1 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻：热浸温度的影响 | 第79-88页 |
| 5.1.1 热浸温度对ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻微观结构和元素分布的影响 | 第79-81页 |
| 5.1.2 热浸温度对ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻相组成和缺陷的影响 | 第81-83页 |
| 5.1.3 热浸温度对ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的压敏性能的影响 | 第83-87页 |
| 5.1.4 热浸温度对ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻导电机理的影响 | 第87-88页 |
| 5.2 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻 | 第88-94页 |
| 5.2.1 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的化学成分 | 第88-89页 |
| 5.2.2 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的元素分布 | 第89-91页 |
| 5.2.3 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的压敏性能 | 第91-92页 |
| 5.2.4 高性能ZnO-Pr_6O_(11)薄膜压敏电阻的稳定性 | 第92-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第6章 结论与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 结论 | 第95-96页 |
| 6.2 创新点 | 第96页 |
| 6.3 展望 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-111页 |
| 个人简历 | 第111-112页 |
| 在学期间研究成果 | 第112-113页 |
