| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第11-14页 |
| 1.2 扩散阻挡层的性能要求 | 第14-15页 |
| 1.3 扩散阻挡层的类型 | 第15-20页 |
| 1.3.1 难熔单质金属 | 第15-16页 |
| 1.3.2 二元扩散阻挡层 | 第16-17页 |
| 1.3.3 三元扩散阻挡层 | 第17-18页 |
| 1.3.4 堆栈结构阻挡层 | 第18-19页 |
| 1.3.5 自形成阻挡层 | 第19-20页 |
| 1.3.6 有机分子纳米层 | 第20页 |
| 1.4 扩散阻挡层的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.4.1 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 物理气相沉积法 | 第21-22页 |
| 1.5 钽基扩散阻挡层的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.6 研究内容与方案 | 第24-25页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第24页 |
| 1.6.2 研究方案 | 第24-25页 |
| 第2章 实验仪器与实验方法 | 第25-31页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第25-29页 |
| 2.1.1 镀膜仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第26页 |
| 2.1.3 实验材料预处理 | 第26-27页 |
| 2.1.4 薄膜沉积工艺参数 | 第27-29页 |
| 2.2 样品的结构及性能表征 | 第29-31页 |
| 2.2.1 组织结构表征 | 第29页 |
| 2.2.2 表面形貌及成分表征 | 第29页 |
| 2.2.3 方块电阻的表征 | 第29页 |
| 2.2.4 薄膜高温退火处理工艺参数 | 第29-31页 |
| 第3章 Si含量对Ta-Si-N薄膜扩散阻挡性能的影响 | 第31-44页 |
| 3.1 Si含量对Ta-Si-N薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.1.1 Si含量对Ta-Si-N薄膜相结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.2 Si含量对Ta-Si-N薄膜表面形貌和横截面形貌的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.3 Si含量对Ta-Si-N薄膜电阻的影响 | 第34页 |
| 3.2 Si含量对Cu/Ta-Si-N/Si体系退火前后结构和电学性能的影响 | 第34-42页 |
| 3.2.1 Si含量对Cu/Ta-Si-N/Si体系退火前后电阻的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 Si含量对Cu/Ta-Si-N/Si体系退火前后相结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 Si含量对Cu/Ta-Si-N/Si体系退火前后表面形貌的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.4 Si含量对Cu/Ta-Si-N/Si体系退火前后横截面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 离子/原子到达比对TaN薄膜扩散阻挡性能的影响 | 第44-59页 |
| 4.1 离子/原子到达比对TaN薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第44-49页 |
| 4.1.1 离子/原子到达比对TaN薄膜相结构的影响 | 第44-46页 |
| 4.1.2 离子/原子到达比对TaN薄膜表面形貌和横截面形貌的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.3 离子/原子到达比对TaN薄膜电阻的影响 | 第48-49页 |
| 4.2 离子/原子到达比对Cu/TaN/Si体系结构和电学性能的影响 | 第49-57页 |
| 4.2.1 离子/原子到达比对Cu/TaN/Si体系退火前后电阻的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 离子/原子到达比对Cu/TaN/Si体系退火前后相结构的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.3 离子/原子到达比对Cu/TaN/Si体系退火前后表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.4 离子/原子到达比对Cu/TaN/Si体系退火 4h后横截面形貌的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 沉积温度对TaN薄膜扩散阻挡性能的影响 | 第59-71页 |
| 5.1 沉积温度对TaN薄膜微观结构和电学性能的影响 | 第59-63页 |
| 5.1.1 沉积温度对TaN薄膜相结构的影响 | 第59-61页 |
| 5.1.2 沉积温度对TaN薄膜表面形貌和横截面形貌的影响 | 第61-62页 |
| 5.1.3 沉积温度对TaN薄膜电阻的影响 | 第62-63页 |
| 5.2 沉积温度对Cu/TaN/Si体系退火前后结构和电学性能的影响 | 第63-69页 |
| 5.2.1 沉积温度对Cu/TaN/Si体系退火前后电阻的影响 | 第63-64页 |
| 5.2.2 沉积温度对Cu/TaN/Si体系退火前后相结构的影响 | 第64-66页 |
| 5.2.3 沉积温度对Cu/TaN/Si体系退火前后表面形貌的影响 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-71页 |
| 第6章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 个人简历 | 第82页 |
