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基于贝叶斯—稀疏约束正则化方法的电阻率反演算法研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第1章 绪论第9-13页
    1.1 课题背景及意义第9页
    1.2 电阻率正反演问题的研究现状第9-10页
    1.3 贝叶斯-稀疏约束正则化方法及研究现状第10-11页
    1.4 论文各章节内容安排第11-13页
第2章 反演的理论基础第13-20页
    2.1 确定性方法第13-17页
        2.1.1 Tikhonov正则化第14-15页
        2.1.2 全变差正则化第15-16页
        2.1.3 稀疏约束正则化第16-17页
    2.2 统计方法第17-19页
        2.2.1 贝叶斯统计推断第17-19页
    2.3 本章小结第19-20页
第3章 电阻率正演第20-28页
    3.1 电阻率成像正问题的数学模型第20-24页
        3.1.1 物体内方程第20-22页
        3.1.2 全电极模型第22-24页
    3.2 电阻率正问题的有限元求解方法第24-26页
    3.3 本章小结第26-28页
第4章 贝叶斯框架下的马尔科夫链蒙特卡罗方法第28-32页
    4.1 METROPOLIS-HASTINGS抽样第28-30页
    4.2 单分量GIBBS抽样第30-31页
    4.3 本章小结第31-32页
第5章 电阻率统计反演及数值模拟第32-44页
    5.1 EIT先验第32-36页
        5.1.1 TV先验第33-35页
        5.1.2 l_1先验第35-36页
    5.2 电阻率成像数值模拟第36-43页
    5.3 小结第43-44页
第6章 结论与展望第44-45页
    6.1 结论第44页
    6.2 展望第44-45页
参考文献第45-48页
攻读学位期间公开发表论文第48-49页
致谢第49-50页
作者简介第50页

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