| 摘要 | 第1-7页 |
| ABS地图 | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·II-IV族化合物半导体材料研究的意义 | 第8-9页 |
| ·CdSe材料研究的现状和意义 | 第9-13页 |
| ·CdSe材料在光电器件方面的应用现状 | 第9-11页 |
| ·CdSe材料在太阳能薄膜电池方面的应用现状 | 第11-13页 |
| ·本文研究的意义 | 第13-14页 |
| 第2章 CdSe薄膜的制备和表征技术 | 第14-20页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·CdSe薄膜制备设备及原理简介 | 第14-16页 |
| ·CdSe薄膜制备设备简介 | 第14-15页 |
| ·CdSe薄膜制备原理简介 | 第15-16页 |
| ·退火设备及原理简介 | 第16页 |
| ·X射线衍射仪(X-ray Diffraction -XRD)原理简介 | 第16-18页 |
| ·EDS能谱 | 第18页 |
| ·金相显微镜 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 CdSe薄膜在不同衬底上的可控生长 | 第20-29页 |
| ·CdSe薄膜在玻璃衬底上的可控生长 | 第20-24页 |
| ·CdSe/玻璃薄膜样品的制备 | 第20-21页 |
| ·蒸发电流对CdSe/玻璃薄膜厚度的影响 | 第21-22页 |
| ·蒸发电流对CdSe/玻璃薄膜晶体结构的影响 | 第22-24页 |
| ·CdSe薄膜在Si衬底上的可控生长 | 第24-28页 |
| ·CdSe/Si薄膜样品的制备 | 第24-26页 |
| ·蒸发电流对CdSe/Si薄膜厚度的影响 | 第26页 |
| ·蒸发电流对CdSe/Si薄膜晶体结构的影响 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第4章 退火对CdSe/玻璃薄膜的结构和形貌的影响 | 第29-36页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·CdSe/玻璃薄膜样品的退火处理 | 第29-30页 |
| ·退火对CdSe/玻璃薄膜形貌影响 | 第30-32页 |
| ·退火对CdSe/玻璃薄膜晶体结构的影响 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第5章 退火对CdSe/Si薄膜的结构和形貌的影响 | 第36-42页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·退火对CdSe/Si(100)薄膜形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·退火对CdSe/Si(100)薄膜晶体结构的影响 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 结论与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-52页 |
| 在学期间的科研情况 | 第52页 |
