几种狄拉克材料纳米体系电子结构研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-43页 |
| ·二维Dirac电子体系简介 | 第11-20页 |
| ·半导体异质结二维电子气 | 第11-14页 |
| ·二维Dirac电子体系 | 第14-20页 |
| ·几种典型的Dirac电子材料 | 第20-33页 |
| ·单层石墨片—石墨烯 | 第20-22页 |
| ·类石墨烯材料—硅烯 | 第22-24页 |
| ·HgTe/CdTe量子阱二维拓扑绝缘体 | 第24-27页 |
| ·Bi_2Se_3三维拓扑绝缘体 | 第27-33页 |
| ·自旋轨道耦合与量子自旋霍尔效应 | 第33-40页 |
| ·自旋轨道耦合 | 第33-35页 |
| ·量子自旋霍尔效应与拓扑分类 | 第35-40页 |
| ·二维Dirac电子体系的应用前景 | 第40-41页 |
| ·本文选题与主要研究内容 | 第41-43页 |
| 第二章 介观纳米体系量子输运理论方法 | 第43-59页 |
| ·局域态密度 | 第45-48页 |
| ·Landauer-Biittiker公式 | 第48-50页 |
| ·传输矩阵与非平衡格林函数 | 第50-59页 |
| ·传输矩阵 | 第50-54页 |
| ·非平衡格林函数 | 第54-59页 |
| 第三章 三维拓扑绝缘体表面通道输运性质 | 第59-67页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·模型描述与公式推导 | 第60-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 三维拓扑绝缘体表面线型缺陷电子态 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·三维拓扑绝缘体表面线型台阶 | 第68-74页 |
| ·模型与公式推导 | 第68-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-74页 |
| ·有限尺寸三维拓扑绝缘体表面边缘 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 硅烯—铁磁硅烯结性质的费米速度调制 | 第79-91页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·模型描述与公式推导 | 第80-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-88页 |
| ·本章小结 | 第88-91页 |
| 第六章 总结和展望 | 第91-97页 |
| ·全文总结 | 第91-92页 |
| ·本论文的主要创新点及科学意义 | 第92-95页 |
| ·后续工作展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第117-119页 |
