| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 导论 | 第10-29页 |
| 第一部分 | 第10-17页 |
| ·半导体Si材料的基本介绍 | 第10-12页 |
| ·表面及表面科学 | 第12-16页 |
| ·第一部分的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二部分 | 第17-25页 |
| ·稀磁半导体(DMS) | 第17-21页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第21-22页 |
| ·GaN基稀磁半导体 | 第22-24页 |
| ·第二部分的研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 研究方法及理论基础 | 第29-43页 |
| ·计算材料学概述 | 第29-31页 |
| ·基于量子力学从头算(ab initio)理论的密度泛函理论 | 第31-39页 |
| ·对基于密度泛函理论的计算软件包的介绍 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 Si(100)表面吸附的理论研究 | 第43-64页 |
| ·引言 | 第43-46页 |
| ·Si(100)表面重构的研究 | 第46-53页 |
| ·Si(100)p(2×2)表面Au吸附的研究 | 第53-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第四章 Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响 | 第64-80页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·基本理论及结构模型 | 第65-66页 |
| ·计算结果及讨论 | 第66-75页 |
| ·结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 在读期间发表论文 | 第81页 |