| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·PECVD技术研究现状 | 第9-10页 |
| ·PECVD的原理 | 第10-11页 |
| ·PECVD技术在光学薄膜中的应用 | 第11-12页 |
| ·本课题研究的意义与国内外现状 | 第12-14页 |
| ·课题研究的意义 | 第12-13页 |
| ·PECVD设备及工艺研究现状和发展趋势 | 第13-14页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第14页 |
| ·论文的章节安排 | 第14-15页 |
| 2 课题方案与可行性论证 | 第15-22页 |
| ·课题的技术路线 | 第15-16页 |
| ·方案可行性论证 | 第16-21页 |
| ·PECVD制备光学薄膜均匀性重复实验 | 第16-18页 |
| ·薄膜光学特性的检测方法 | 第18-21页 |
| ·所需的实验条件 | 第21-22页 |
| 3 PECVD制备单层光学薄膜均匀性技术研究 | 第22-46页 |
| ·高折射率薄膜制备均匀性影响因素研究 | 第22-28页 |
| ·反应压强对于氮化硅薄膜光学厚度非均匀性的影响 | 第22-24页 |
| ·反应温度对于氮化硅薄膜光学厚度非均匀性的影响 | 第24-26页 |
| ·射频功率对于氮化硅薄膜光学厚度非均匀性的影响 | 第26-28页 |
| ·中间折射率薄膜制备均匀性影响因素研究 | 第28-36页 |
| ·反应压强对氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第28-30页 |
| ·反应温度对氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第30-32页 |
| ·射频功率对氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第32-34页 |
| ·薄膜厚度对氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第34-36页 |
| ·低折射率薄膜制备均匀性影响因素研究 | 第36-42页 |
| ·反应压强对氟氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第36-38页 |
| ·反应温度对氟氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第38-40页 |
| ·射频功率对氟氧化硅薄膜材料光学厚度非均匀性的影响 | 第40-42页 |
| ·非均匀性≤5%的光学薄膜样片试制与分析 | 第42-44页 |
| ·氮化硅薄膜的试制与分析 | 第42-43页 |
| ·氧化硅薄膜的试制与分析 | 第43-44页 |
| ·含氟氧化硅薄膜的试制与分析 | 第44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 4 PECVD制备单层光学薄膜生长工艺参数模型建立及模拟仿真 | 第46-60页 |
| ·PECVD制备光学薄膜生长的原理 | 第46-47页 |
| ·PECVD薄膜生长过程的模拟方法 | 第47-52页 |
| ·成膜均匀性与制备参数关系 | 第47-48页 |
| ·数学模型与几何模型建立 | 第48-50页 |
| ·模拟仿真结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·影响沉积薄膜几何厚度均匀性的模拟验证与结果分析 | 第52-59页 |
| ·制备单层氮化硅光学薄膜单因素试验模拟验证 | 第52-56页 |
| ·制备单层氧化硅光学薄膜单因素试验模拟验证 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 5 结论 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
