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拓扑绝缘体薄膜的输运性质研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
Chapter 1 Introduction第8-24页
   ·Theoretical classification of quantum Hall effect第8-11页
   ·Theoretical classification of insulators with time-reversal symmetry第11-15页
   ·Review on experimental studies of TIs第15-24页
Chapter 2 Experimental setup第24-36页
   ·Cryostat第24-27页
   ·Probe design第27-28页
   ·Sample growth and sample mounting第28-29页
   ·Electronics and data acquisition第29-30页
   ·Experimental utilities in NHMFL-PFF, LANL第30-33页
   ·Considerations on reliable measurements in pulsed magnetic field第33-36页
Chapter 3 Transport studies on pure Bi2Se3films第36-54页
   ·Localization in disordered systems第36-40页
   ·Insulating ground state第40-44页
   ·Magnetoresistance characteristic of WAL第44-46页
   ·Role of electron-electron interaction in the occurrence of insulating ground state第46-52页
   ·Conclusion第52-54页
Chapter 4 Transport studies on Cr-doped Bi2Se3films第54-70页
   ·Experimental demonstration of crossover between WL and WAL under magnetic doping第54-59页
   ·The relation between WL-WAL crossover and magnetically induced topological phase transition第59-69页
   ·Conclusion第69-70页
Chapter 5 High-field transport studies on (Bi,Sb)2Te3films第70-83页
   ·Landau quantization of the surface state第70-73页
   ·Experimental results第73-79页
   ·Data analysis and discussions第79-82页
   ·Conclusion第82-83页
Chapter 6 Conclusion第83-85页
Reference第85-97页
Acknowledgement第97-99页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第99-100页

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