| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-19页 |
| ·薄膜生长 | 第11-13页 |
| ·量子阱薄膜 | 第13-14页 |
| ·拓扑学和拓扑绝缘体 | 第14-17页 |
| ·磁性掺杂拓扑绝缘体中的物理现象 | 第17-18页 |
| ·半导体异质结 | 第18-19页 |
| 第2章 实验技术与原理 | 第19-33页 |
| ·超高真空技术(UHV) | 第19-22页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第22-24页 |
| ·扫描隧道显微镜技术(STM) | 第24-25页 |
| ·角分辨光电子谱(ARPES) | 第25-29页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第29-31页 |
| ·低温强场输运测量系统 | 第31-33页 |
| 第3章 本征和磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的制备 | 第33-61页 |
| ·研究背景 | 第33-36页 |
| ·实验方法 | 第36-38页 |
| ·实验结果和讨论 | 第38-57页 |
| ·Bi_2Se_3量子阱薄膜在绝缘基底上的制备和性质研究 | 第38-45页 |
| ·(Bi1 xSb_x)_2Te_3量子阱薄膜在绝缘基底上的制备和性质研究 | 第45-56页 |
| ·Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜在绝缘基底上制备和性质研究 | 第56-57页 |
| ·Cr 掺杂的拓扑绝缘体薄膜在绝缘基底上制备 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 Cr 掺杂 Bi_2Se_3、Bi_2Te_3和 Sb_2Se_3量子阱薄膜的性质研究 | 第61-100页 |
| ·研究背景 | 第61-69页 |
| ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3量子阱薄膜的性质研究 | 第69-86页 |
| ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3的电子结构与磁性 | 第69-80页 |
| ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3量子阱薄膜的输运性质研究 | 第80-86页 |
| ·Cr 掺杂的 Bi_2Te_3量子阱薄膜的性质研究 | 第86-92页 |
| ·Cr 掺杂的 Sb_2Se_3量子阱薄膜的性质研究 | 第92-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第5章 Cr 掺杂(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3量子阱薄膜中 QAHE 的探索 | 第100-119页 |
| ·研究背景 | 第100-101页 |
| ·Cr 掺杂的(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3量子阱薄膜的性质研究 | 第101-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 第6章 Cr 掺杂 Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜的拓扑量子相变 | 第119-136页 |
| ·研究背景 | 第119-120页 |
| ·Cr 掺杂的 Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜的性质研究 | 第120-135页 |
| ·本章小结 | 第135-136页 |
| 第7章 拓扑绝缘体 Dirac 表面态的能带工程 | 第136-157页 |
| ·研究背景 | 第136-138页 |
| ·杂化诱导的拓扑绝缘体 Dirac 表面态的能带工程 | 第138-147页 |
| ·拓扑绝缘体异质结的研究 | 第147-155页 |
| ·Bi_2Se_3与 Bi_2Te_3异质结研究 | 第148-150页 |
| ·Bi_2Te_3与 Sb_2Se_3异质结研究 | 第150-153页 |
| ·Bi_2Se_3与 Sb_2Se_3异质结研究 | 第153-154页 |
| ·理论分析 | 第154-155页 |
| ·本章小结 | 第155-157页 |
| 第8章 结论 | 第157-159页 |
| 参考文献 | 第159-167页 |
| 致谢 | 第167-169页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第169-170页 |
