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磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜制备及性质研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 引言第9-19页
   ·薄膜生长第11-13页
   ·量子阱薄膜第13-14页
   ·拓扑学和拓扑绝缘体第14-17页
   ·磁性掺杂拓扑绝缘体中的物理现象第17-18页
   ·半导体异质结第18-19页
第2章 实验技术与原理第19-33页
   ·超高真空技术(UHV)第19-22页
   ·分子束外延技术(MBE)第22-24页
   ·扫描隧道显微镜技术(STM)第24-25页
   ·角分辨光电子谱(ARPES)第25-29页
   ·反射式高能电子衍射(RHEED)第29-31页
   ·低温强场输运测量系统第31-33页
第3章 本征和磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的制备第33-61页
   ·研究背景第33-36页
   ·实验方法第36-38页
   ·实验结果和讨论第38-57页
     ·Bi_2Se_3量子阱薄膜在绝缘基底上的制备和性质研究第38-45页
     ·(Bi1 xSb_x)_2Te_3量子阱薄膜在绝缘基底上的制备和性质研究第45-56页
     ·Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜在绝缘基底上制备和性质研究第56-57页
   ·Cr 掺杂的拓扑绝缘体薄膜在绝缘基底上制备第57-60页
   ·本章小结第60-61页
第4章 Cr 掺杂 Bi_2Se_3、Bi_2Te_3和 Sb_2Se_3量子阱薄膜的性质研究第61-100页
   ·研究背景第61-69页
   ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3量子阱薄膜的性质研究第69-86页
     ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3的电子结构与磁性第69-80页
     ·Cr 掺杂 Bi_2Se_3量子阱薄膜的输运性质研究第80-86页
   ·Cr 掺杂的 Bi_2Te_3量子阱薄膜的性质研究第86-92页
   ·Cr 掺杂的 Sb_2Se_3量子阱薄膜的性质研究第92-98页
   ·本章小结第98-100页
第5章 Cr 掺杂(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3量子阱薄膜中 QAHE 的探索第100-119页
   ·研究背景第100-101页
   ·Cr 掺杂的(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3量子阱薄膜的性质研究第101-118页
   ·本章小结第118-119页
第6章 Cr 掺杂 Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜的拓扑量子相变第119-136页
   ·研究背景第119-120页
   ·Cr 掺杂的 Bi_2(Se_xTe_(1-x))_3量子阱薄膜的性质研究第120-135页
   ·本章小结第135-136页
第7章 拓扑绝缘体 Dirac 表面态的能带工程第136-157页
   ·研究背景第136-138页
   ·杂化诱导的拓扑绝缘体 Dirac 表面态的能带工程第138-147页
   ·拓扑绝缘体异质结的研究第147-155页
     ·Bi_2Se_3与 Bi_2Te_3异质结研究第148-150页
     ·Bi_2Te_3与 Sb_2Se_3异质结研究第150-153页
     ·Bi_2Se_3与 Sb_2Se_3异质结研究第153-154页
     ·理论分析第154-155页
   ·本章小结第155-157页
第8章 结论第157-159页
参考文献第159-167页
致谢第167-169页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第169-170页

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