紫外写入技术制备Si基SiO2阵列波导光栅器件基础研究
| 第一章 引 言 | 第1-31页 |
| ·波分复用技术及其发展现状 | 第11-15页 |
| ·波分复用技术的概念 | 第11页 |
| ·波分复用技术的发展历程 | 第11-12页 |
| ·波分复用技术的主要特点 | 第12-13页 |
| ·波分复用技术的研究现状 | 第13-15页 |
| ·波分复用器件 | 第15-18页 |
| ·光栅型WDM器件 | 第15-16页 |
| ·介质薄膜滤波器型WDM器件 | 第16-17页 |
| ·熔锥型WDM器件 | 第17页 |
| ·集成光波导型WDM器件 | 第17-18页 |
| ·各种WDM器件的性能比较 | 第18页 |
| ·平面光波导技术 | 第18-22页 |
| ·硅基二氧化硅光波导 | 第19-20页 |
| ·铌酸锂镀钛光波导 | 第20页 |
| ·InGaAsP/InP光波导 | 第20-21页 |
| ·SOI光波导 | 第21页 |
| ·聚合物光波导 | 第21页 |
| ·有机无机混合光波导 | 第21-22页 |
| ·阵列波导光栅波分复用器件简介 | 第22-26页 |
| ·AWG器件发展概述 | 第22-23页 |
| ·AWG器件制作技术 | 第23-24页 |
| ·AWG器件研究进展 | 第24-26页 |
| ·本论文的主要工作及创新点 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 列阵波导光栅的原理、特性及应用 | 第31-60页 |
| ·硅基二氧化硅矩形波导的理论计算 | 第31-41页 |
| ·平板波导理论 | 第31-33页 |
| ·矩形波导理论 | 第33-34页 |
| ·单模矩形波导的设计 | 第34-41页 |
| ·小结 | 第41页 |
| ·阵列波导光栅基本理论 | 第41-45页 |
| ·阵列波导光栅的结构 | 第41-42页 |
| ·阵列波导光栅的工作原理 | 第42-45页 |
| ·阵列波导光栅器件性能优化 | 第45-52页 |
| ·波长响应平坦型AWG | 第45-47页 |
| ·温度误差补偿型AWG | 第47-48页 |
| ·相位误差补偿型AWG | 第48-49页 |
| ·偏振无关型AWG | 第49-50页 |
| ·低损耗型AWG | 第50-51页 |
| ·均匀损耗周期频率(ULCF)型AWG | 第51-52页 |
| ·阵列波导光栅的应用 | 第52-57页 |
| ·复用解复用器 | 第52页 |
| ·波长路由器 | 第52-53页 |
| ·光插分复用器(OADM ) | 第53-54页 |
| ·光交叉连接器(OXC) | 第54页 |
| ·多波长光源 | 第54-55页 |
| ·光波长选择开关(OWCS) | 第55-56页 |
| ·基于AWG的集成器件 | 第56-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 火焰水解法制备硅基二氧化硅波导材料 | 第60-86页 |
| ·硅基二氧化硅材料制备方法 | 第60-62页 |
| ·热氧化法 | 第60-61页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第61页 |
| ·物理汽相沉积法(PVD) | 第61-62页 |
| ·化学汽相沉积法(CVD) | 第62页 |
| ·氧化多孔硅法 | 第62页 |
| ·火焰水解沉积法(FHD) | 第62页 |
| ·火焰水解法制备二氧化硅材料 | 第62-73页 |
| ·FHD的原理、系统及实验过程 | 第63-65页 |
| ·H2、O2及SiCl4流量对实验的影响 | 第65-66页 |
| ·SiO2膜的组分及结构分析 | 第66-68页 |
| ·SiO2膜的形貌分析 | 第68-70页 |
| ·SiO2膜的光学性质分析 | 第70-73页 |
| ·小结 | 第73页 |
| ·火焰水解法制备锗掺杂二氧化硅材料 | 第73-83页 |
| ·GeCl4流量与Ge掺杂量的关系 | 第73-76页 |
| ·Ge掺杂量与材料折射率的关系 | 第76-77页 |
| ·Ge掺杂SiO2膜的结构和形貌分析 | 第77-81页 |
| ·Ge掺杂SiO2膜的光学性质分析 | 第81-83页 |
| ·小结 | 第83页 |
| ·结论 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 锗硅材料的紫外光致折变研究 | 第86-112页 |
| ·锗硅光纤的紫外光敏特性 | 第86-90页 |
| ·锗硅光纤的光致折变效应 | 第86-87页 |
| ·锗硅光纤的光谱吸收特性 | 第87页 |
| ·锗硅光纤的光致折变因素 | 第87-88页 |
| ·锗硅光纤的光致折变机理 | 第88-89页 |
| ·锗硅光纤的增敏方法 | 第89-90页 |
| ·锗硅薄膜的紫外光敏特性 | 第90-93页 |
| ·锗硅薄膜的光致折变效应 | 第90-91页 |
| ·锗硅薄膜光致折变效应的应用 | 第91-93页 |
| ·锗硅薄膜的紫外光致折变的实验研究 | 第93-106页 |
| ·锗硅薄膜的紫外光诱导实验 | 第93-94页 |
| ·FHD与CVD制备的锗硅薄膜光敏性研究 | 第94-96页 |
| ·紫外曝光时间与折变量的关系 | 第96-99页 |
| ·紫外曝光时间对结构的影响 | 第99-100页 |
| ·紫外光致折变与厚度的关系 | 第100-104页 |
| ·锗硅薄膜的紫外吸收特性 | 第104-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| ·结论 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 第五章 紫外写入阵列波导光栅技术基础研究 | 第112-132页 |
| ·紫外写入技术制作平面光波导器件的研究进展 | 第112-115页 |
| ·紫外写入在波导光栅制作上的应用 | 第112-113页 |
| ·紫外写入在沟道波导制作上的应用 | 第113-115页 |
| ·紫外光致折变效应在改善AWG器件性能上的应用 | 第115-121页 |
| ·紫外写入阵列波导光栅技术 | 第121-125页 |
| ·紫外写入AWG的制作工艺 | 第121-123页 |
| ·紫外写入AWG的工艺参数设计 | 第123-124页 |
| ·紫外写入AWG器件参数优化 | 第124-125页 |
| ·紫外写入平面波导光栅的实验研究 | 第125-130页 |
| ·紫外曝光掩模板的选择与制作 | 第125-127页 |
| ·紫外写入制备平面波导光栅 | 第127-130页 |
| ·小结 | 第130页 |
| ·结论 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-134页 |
| 附录1 | 第134-135页 |
| 附录2 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 发表的文章 | 第138-141页 |
| 中文摘要 | 第141-144页 |
| 英文摘要 | 第144-147页 |
