基于TCAD的晶闸管设计与模拟研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
致谢 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
·电力半导体器件发展现状 | 第10-11页 |
·电力电子器件应用领域 | 第11-13页 |
·两种全控型晶闸管研究意义 | 第13-15页 |
·GTO 的研究意义 | 第13页 |
·IGCT 的研究意义 | 第13-15页 |
·本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
第二章 晶闸管的数理模型 | 第16-21页 |
·晶闸管的结构及基本原理 | 第16-18页 |
·晶闸管控制特性 | 第18-19页 |
·晶闸管的通态特性 | 第19-21页 |
第三章 晶闸管的衍生结构及其特性 | 第21-25页 |
·GTO 的结构与特性 | 第21-22页 |
·GTO 基本结构 | 第21-22页 |
·GTO 的开通机理 | 第22页 |
·GTO 的关断原理 | 第22页 |
·GCT 的结构与特性 | 第22-24页 |
·GCT 的结构 | 第22-23页 |
·GCT 的开通机理 | 第23页 |
·GCT 的关断 | 第23-24页 |
·本章小结 | 第24-25页 |
第四章 衍生结构的优化 | 第25-33页 |
·透明阳极的机理 | 第25-28页 |
·门极—阴极的设计 | 第28-31页 |
·其它结构 GCT | 第31-33页 |
第五章 衍生结构的数值模拟 | 第33-46页 |
·工艺及器件仿真软件 | 第33页 |
·器件建模 | 第33-42页 |
·GCT 的透明阳极结构参数优化分析 | 第42-44页 |
·阳极短路型 GCT 特性分析 | 第44-46页 |
第六章 结论与展望 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第49-51页 |