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纤锌矿半导体电子能带结构和光学性质:第一性原理研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-28页
 §1.1 材料的基本结构第11-18页
  §1.1.1 InN的基本结构第11-14页
  §1.1.2 石墨烯和石墨烯纳米带的基本结构第14-18页
 §1.2 材料的基本性质第18-27页
  §1.2.1 氮化铟材料的基本性质第18-23页
   §1.2.1.1 载流子浓度,迁移率和带隙的关系第18-21页
   §1.2.1.2 电学输运特性第21-22页
   §1.2.1.3 极低温下的超导行为第22-23页
  §1.2.2 石墨烯材料的基本性质第23-27页
   §1.2.2.1 无质量狄拉克费米子第23-26页
   §1.2.2.2 克莱因佯谬第26页
   §1.2.2.3 半整数量子霍尔效应第26-27页
 §1.3 论文内容安排第27-28页
第二章 理论基础和计算方法第28-37页
 §2.1 密度泛函理论第28-33页
  §2.1.1 绝热近似和哈特利-福克近似第28-29页
  §2.1.2 Hohenberg-kohn定理第29-30页
  §2.1.3 Kohn-Sham方程第30-31页
  §2.1.4 交换关联势第31-32页
   §2.1.4.1 局域密度近似第31-32页
   §2.1.4.2 广义梯度近似第32页
  §2.1.5 赝势方法第32-33页
   §2.1.5.1 模守恒赝势第32-33页
   §2.1.5.2 超软赝势第33页
 §2.2 布洛赫定理第33-35页
 §2.3 Quantum-ESPRESSO软件第35-37页
  §2.3.1 软件介绍第35页
  §2.3.2 计算流程第35-37页
第三章 纤锌矿InN的晶格振动和光学性质第37-45页
 §3.1 引言第37-38页
 §3.2 理论方法第38-39页
 §3.3 计算结果与讨论第39-44页
  §3.3.1 InN的声子谱第39-41页
  §3.3.2 InN的光学性质第41-44页
 §3.4 总结第44-45页
第四章 GGA+U~((p+d))研究纤锌矿In_(1-x)Ga_xN的电子能带结构和态密度第45-55页
 §4.1 引言第45-46页
 §4.2 理论方法与模型第46-47页
 §4.3 计算结果与讨论第47-53页
  §4.3.1 纤锌矿InN的能带结构第47-48页
  §4.3.2 纤锌矿In_xGa_(1-x)N电子能带结构第48-51页
  §4.3.3 纤锌矿In_xGa_(1-x)N态密度与分波态密度第51-53页
 §4.4 总结第53-55页
第五章 Li掺杂手扶椅式石墨烯纳米带电子能带结构和态密度:第一性原理研究第55-64页
 §5.1 引言第55-56页
 §5.2 理论方法与模型第56-58页
 §5.3 结果与讨论第58-62页
  §5.3.1 稳定性分析第58页
  §5.3.2 能带结构第58-60页
  §5.3.3 态密度和分波态密度第60-62页
 §5.4 总结第62-64页
第六章 总结第64-66页
参考文献第66-76页
致谢第76-77页
攻读博士学位期间发表及完成的学术论文第77页

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