| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| §1.1 存储器的发展 | 第10-11页 |
| §1.2 论文工作意义与目的 | 第11-13页 |
| §1.3 论文主要内容 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 快闪存储器工作方式 | 第15-38页 |
| §2.1 快闪存储器分类与结构 | 第15-17页 |
| §2.2 快闪存储器的阵列架构 | 第17-20页 |
| §2.2.1 NAND架构 | 第17-18页 |
| §2.2.2 NOR架构 | 第18-20页 |
| §2.2.3 NAND与NOR架构性能比较 | 第20页 |
| §2.3 编程与擦除机制 | 第20-27页 |
| §2.3.1 F N隧穿 | 第20-22页 |
| §2.3.2 沟道热电子注入 | 第22-24页 |
| §2.3.3 脉冲激发衬底热电子注入 | 第24-26页 |
| §2.3.4 带-带隧穿热空穴注入 | 第26-27页 |
| §2.4 电荷分布表征与阈值读取技术 | 第27-35页 |
| §2.4.1 电荷泵电流技术 | 第27-32页 |
| §2.4.2 递增测阈值法 | 第32-33页 |
| §2.4.3 反向读阈值电压技术 | 第33-35页 |
| §2.5 本章小结 | 第35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 纳米SONOS器件多值多位存储技术 | 第38-55页 |
| §3.1 SONOS中多值多位存储技术 | 第38-42页 |
| §3.1.1 多值多位存储技术 | 第38-41页 |
| §3.1.2 多值多位储存技术在纳米SONOS中遇到的问题 | 第41-42页 |
| §3.2 多值多位存储编程方法 | 第42-43页 |
| §3.2.1 二次电子注入效应 | 第42-43页 |
| §3.2.2 改进的沟道热电子注入 | 第43页 |
| §3.3 多值多位存储技术在纳米SONOS中实验结果 | 第43-52页 |
| §3.3.1 纳米SONOS中多值存储 | 第43-46页 |
| §3.3.2 电荷横向分布表征 | 第46-49页 |
| §3.3.3 纳米SONOS中多位存储 | 第49-52页 |
| §3.4 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 纳米SONOS存储器保持特性的研究 | 第55-65页 |
| §4.1 两种保持模型 | 第55-60页 |
| §4.1.1 横向保持模型 | 第55-58页 |
| §4.1.2 纵向保持模型 | 第58-60页 |
| §4.2 保持特性研究结果 | 第60-63页 |
| §4.3 本章小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 硕士期间取得学术成果 | 第67-69页 |
| A. 国际期刊和会议论文 | 第67页 |
| B. 申请专利 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |