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Sn基钎料/Cu界面柯肯达尔空洞机理研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-12页
第一章 绪论第12-27页
   ·引言第12页
   ·柯肯达尔空洞的定义及其演变第12-14页
   ·柯肯达尔空洞的研究进展第14-19页
     ·无铅钎料第14-15页
     ·Sn 基钎料/Cu 界面的柯肯达尔空洞第15-18页
     ·抑制柯肯达尔空洞形成的方法第18-19页
   ·界面元素的不平衡扩散第19-21页
   ·合金元素对柯肯达尔空洞形成的影响第21-23页
     ·Ni 元素的影响第22页
     ·Zn 元素的影响第22-23页
     ·Cu 和 Ag 元素的影响第23页
   ·第一性原理第23-25页
     ·界面 IMC 相中的应用第23-24页
     ·密度泛函理论第24-25页
   ·本论文的主要研究内容第25-27页
第二章 样品制备与表征方法第27-31页
   ·实验材料与钎料制备第27页
   ·CU 基板制备第27-28页
   ·样品制备第28-29页
   ·样品表征第29-31页
     ·电子扫描显微镜(SEM)第29页
     ·透射电子显微镜(Transmission Electron Microscopy, TEM)第29页
     ·X 射线衍射仪(X-Ray Diffractormeter, XRD)第29页
     ·X 射线光电子能谱仪(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)第29-30页
     ·微纳米硬度(Nanoindentation Testing, NIT)第30-31页
第三章 SN 基钎料/CU 界面的互扩散性质第31-65页
   ·SN 基钎料/CU 接头的界面反应第31-40页
     ·界面微观组织形貌第32-36页
     ·界面成分与物相分析第36-37页
     ·反应界面处组分元素的扩散分析第37-40页
   ·界面 IMC 层的生长动力学第40-47页
     ·生长动力学理论第40-41页
     ·界面 IMC 层的生长第41-45页
     ·生长动力学分析第45-47页
   ·初始反应界面参照法第47-49页
   ·组分元素在界面 IMC 层中的扩散通量第49-63页
     ·界面反应与扩散第49-52页
     ·扩散模型第52-56页
     ·相界面迁移与扩散通量分析第56-63页
   ·本章小结第63-65页
第四章 SN/CU 体系的界面柯肯达尔空洞第65-82页
   ·SN/CU 界面柯肯达尔空洞的形成第65-70页
     ·界面微观组织形貌第65-68页
     ·界面空洞的演变过程分析第68-70页
   ·CU 基板对柯肯达尔空洞形成的影响第70-75页
     ·Cu 基板的表面形貌及其成分表征第70-74页
     ·影响因素分析第74-75页
   ·SN 镀层对柯肯达尔空洞形成的影响第75-80页
     ·界面微观组织形貌第76-77页
     ·空洞形成与 Sn 镀层的关联性分析第77-80页
   ·本章小结第80-82页
第五章 柯肯达尔空洞与 IMC 相的关联性第82-99页
   ·IMC 晶体的空位形成能及空位扩散能垒第82-90页
     ·IMC 相晶体结构第82-83页
     ·计算方法第83-85页
     ·计算结果与讨论第85-90页
   ·界面相变残余应力的分布第90-95页
     ·相变体积收缩第90-91页
     ·有限元模型第91-93页
     ·计算结果与分析第93-95页
   ·柯肯达尔空洞形成的综合分析第95-98页
     ·界面空洞的形核和生长第95-96页
     ·空洞形核和生长的模型第96-98页
   ·本章小结第98-99页
第六章 微量合金元素对柯肯达尔空洞的抑制机理第99-115页
   ·CU 对柯肯达尔空洞形成的影响第99-102页
     ·界面微观组织形貌第99-101页
     ·Cu 元素的作用机理分析第101-102页
   ·ZN 对柯肯达尔空洞形成的影响第102-110页
     ·界面微观组织形貌第102-105页
     ·Zn 元素的作用机理分析第105-110页
   ·NI 对柯肯达尔空洞形成的影响第110-114页
     ·界面微观组织形貌第110-113页
     ·Ni 元素的作用机理分析第113-114页
   ·本章小结第114-115页
第七章 全文总结第115-118页
参考文献第118-133页
攻读博士学位期间已发表或录用的论文第133-135页
致谢第135-138页
附件第138页

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