| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 前言 | 第8-14页 |
| ·红外线的特点及应用 | 第8-10页 |
| ·红外探测器与HgCdTe(MCT) | 第10-12页 |
| ·MCT材料的不足与解决方案 | 第12页 |
| ·碲镉汞外延的衬底选取 | 第12-14页 |
| 2 本文的选题思想与研究方案 | 第14-16页 |
| ·选题思想 | 第14-15页 |
| ·研究目的 | 第15页 |
| ·研究内容 | 第15-16页 |
| 3 碲锌镉 | 第16-24页 |
| ·碲锌镉单晶的性质 | 第16-17页 |
| ·CZT体单晶的用途 | 第17-18页 |
| ·异质结太阳电池 | 第18页 |
| ·用于MCT衬底 | 第18-21页 |
| ·从晶格常数看 | 第19-20页 |
| ·从能带结构看 | 第20-21页 |
| ·CZT晶体的生长难点 | 第21页 |
| ·CZT晶体的生长方法 | 第21-24页 |
| ·块状晶体生长 | 第21-22页 |
| ·CZT晶体的外延生长 | 第22-24页 |
| 4 CZT晶体的热壁外延生长 | 第24-30页 |
| ·HWE的基本原理 | 第24-27页 |
| ·升华 | 第24-25页 |
| ·输运 | 第25-26页 |
| ·沉积生长 | 第26-27页 |
| ·HWE生长装置 | 第27页 |
| ·CZT晶体薄膜制备 | 第27-30页 |
| ·衬底准备 | 第27-28页 |
| ·实验装置及CZT晶体薄膜生长 | 第28-30页 |
| 5 测试及结果 | 第30-64页 |
| ·组分测试及分析 | 第30-35页 |
| ·相同条件下改变Zn源量所得到的CZT晶体组分 | 第30-31页 |
| ·在Zn源量相同的条件下改变其它条件所得到的CZT晶体薄膜组分 | 第31-35页 |
| ·小结 | 第35页 |
| ·表面形貌及结构分析 | 第35-41页 |
| ·单一Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te源 | 第35-38页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te和Zn双源 | 第38-39页 |
| ·CZT晶体薄膜的结构分析 | 第39-41页 |
| ·光学特性的理论分析 | 第41-45页 |
| ·半导体的光学常数及相互关系 | 第41-42页 |
| ·介电函数 | 第42-43页 |
| ·光学常数与宏观可测量反射比和透射比 | 第43-45页 |
| ·CZT光学特性的测试结果与讨论 | 第45-59页 |
| ·同组分薄膜的光学特性 | 第45-51页 |
| ·同厚度(不同组分)薄膜的光学性质 | 第51-56页 |
| ·光学能隙的测定 | 第56-57页 |
| ·光学带隙Egopt与组分x的经验公式 | 第57-59页 |
| ·SI(100)衬底上生长高质量CZT晶体薄膜 | 第59-62页 |
| ·高质量CZT晶体薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·高质量CZT晶体薄膜的表面形貌 | 第60-61页 |
| ·高质量CZT薄膜的晶体取向 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69页 |