65nm工艺下12比特50兆赫兹流水线模数转换器设计研究
摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-6页 |
第一章 引言 | 第6-10页 |
·研究背景及价值 | 第6-7页 |
·主要工作及论文组织结构 | 第7-8页 |
参考文献 | 第8-10页 |
第二章 模数转换器概述 | 第10-20页 |
·模数转换器简介 | 第10页 |
·模数转换器的性能评价 | 第10-14页 |
·静态指标 | 第11-12页 |
·动态指标 | 第12-13页 |
·模数转换器的优值FoM | 第13-14页 |
·模数转换器的类型 | 第14-19页 |
·全并行模数转换器 | 第14-15页 |
·折叠内插模数转换器 | 第15页 |
·逐次比较型模数转换器 | 第15-16页 |
·流水线模数转换器 | 第16-18页 |
·Sigma-Delta模数转换器 | 第18页 |
·各种类型模数转换器特性比较 | 第18-19页 |
参考文献 | 第19-20页 |
第三章 流水线模数转换器系统分析与设计 | 第20-40页 |
·流水线模数转换器工作原理 | 第20-23页 |
·流水线模数转换器中的非理想因素 | 第23-33页 |
·MOS开关的非理想性 | 第24-25页 |
·余量增益非理想性 | 第25-28页 |
·失配 | 第28-31页 |
·运放共享中的记忆效应 | 第31-32页 |
·时钟抖动 | 第32-33页 |
·系统结构选取与指标确定 | 第33-38页 |
·系统结构确定 | 第34页 |
·系统噪声分析 | 第34-38页 |
参考文献 | 第38-40页 |
第四章 65nm工艺特性及电路设计 | 第40-80页 |
·65nm工艺特性 | 第40-42页 |
·65nm工艺非理想效应的研究 | 第42-51页 |
·浅槽隔离效应(STI)的研究 | 第42-47页 |
·阱临近效应(WPE)的研究 | 第47-50页 |
·电路设计与物理实现方法的考虑 | 第50-51页 |
·电路设计 | 第51-76页 |
·采样保持电路设计 | 第51-66页 |
·采样保持电路结构比较与选择 | 第51-53页 |
·建立性能优化 | 第53-55页 |
·开关选择与设计 | 第55-59页 |
·运算放大器设计 | 第59-65页 |
·采样保持电路仿真结果 | 第65-66页 |
·余量增益电路设计 | 第66-71页 |
·2.5比特每级MDAC设计 | 第67-69页 |
·1.5比特共享结构MDAC设计 | 第69-71页 |
·开关电容比较器设计 | 第71-73页 |
·时钟电路设计 | 第73-76页 |
·总体模数转换器仿真结果 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-80页 |
第五章 芯片版图设计 | 第80-88页 |
·偏置电路设计 | 第80页 |
·版图实现 | 第80-87页 |
·版图的对称性 | 第81-82页 |
·隔离与屏蔽 | 第82-83页 |
·DFM检查 | 第83-86页 |
·总体版图设计 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-88页 |
第六章 总结与展望 | 第88-90页 |
·目前工作总结 | 第88-89页 |
·未来研究展望 | 第89-90页 |
致谢 | 第90-91页 |
在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第91-92页 |