PIC/MCC模拟直流平面磁控溅射
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-24页 |
| ·溅射技术的发展历程 | 第8-9页 |
| ·溅射沉积的机理 | 第9-14页 |
| ·离子溅射过程 | 第10-11页 |
| ·薄膜生长过程 | 第11-13页 |
| ·反应溅射 | 第13-14页 |
| ·溅射产额 | 第14-19页 |
| ·溅射产额与入射离子能量的关系 | 第14-15页 |
| ·溅射产额与被溅射靶材的关系 | 第15-16页 |
| ·溅射产额与功率密度的关系 | 第16页 |
| ·溅射产额的半经验公式 | 第16-19页 |
| ·影响薄膜沉积的工艺参数 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射技术 | 第20-23页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第20-21页 |
| ·非平衡磁控溅射 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 2 平面磁控溅射靶磁场的分析 | 第24-31页 |
| ·磁控靶磁场的计算 | 第24-27页 |
| ·磁控靶的结构 | 第24-26页 |
| ·磁控靶的磁场 | 第26-27页 |
| ·计算结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·计算结果与实验测量的比较 | 第27-28页 |
| ·磁极尺寸对靶表面磁场的影响 | 第28-30页 |
| ·磁极表面的磁场分布 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 PIC/MCC模拟直流平面磁控溅射 | 第31-42页 |
| ·模型描述 | 第31-34页 |
| ·模拟结果分析 | 第34-41页 |
| ·等离子体电势和电场分布 | 第34-36页 |
| ·电子和离子的密度分布 | 第36-37页 |
| ·阴极表面离子能量分布和靶材的溅射 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 磁场对磁控放电和靶材溅射的影响 | 第42-50页 |
| ·磁场强度对放电特性的影响 | 第43-46页 |
| ·磁场构型对靶材溅射的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
