| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-18页 |
| ·分子和原子体系中的各种常见作用势 | 第7-10页 |
| ·多电子原子的最简单模型—中心力场近似 | 第7-8页 |
| ·自旋相关效应的费米作用势 | 第8页 |
| ·Hartree-Fock 自洽场作用势 | 第8-9页 |
| ·Thomas—Fermi 模型 | 第9页 |
| ·Koho-Sham 作用势 | 第9-10页 |
| ·有效基团作用势 | 第10页 |
| ·静电作用势 | 第10页 |
| ·理论模型 | 第10-18页 |
| ·分子中一个电子所受到的作用势 | 第11-12页 |
| ·自旋限制的Hartree-Fock 自洽场分子轨道理论的表达 | 第12-14页 |
| ·组态相互作用下一个电子所受到作用势的具体表达 | 第14-18页 |
| ·组态相互作用的波函数 | 第14-15页 |
| ·多 Slater 行列式波函数的一阶约化密度矩阵 | 第15-17页 |
| ·多Slater行列式波函数的二阶约化密度矩阵 | 第17页 |
| ·分子中一个电子所受到的作用势(PAEM)的计算程序和方法 | 第17-18页 |
| 第二章 氢分子与氦原子相互作用过程特征轮廓变化的研究 | 第18-42页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·分子特征形状的主要研究方法 | 第19-22页 |
| ·描写分子的形状和大小的经验方法 | 第19页 |
| ·Van der waals 表面 | 第19-20页 |
| ·溶剂可接触界面 | 第20页 |
| ·电子密度界面轮廓 | 第20-21页 |
| ·等静电势界面轮廓 | 第21页 |
| ·分子的内禀特征轮廓 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-42页 |
| ·理论方法的选择 | 第22-23页 |
| ·关于氢分子和氦原子特征边界半径及其特征半径上电子密度的研究 | 第23-25页 |
| ·对氢分子边界轮廓的研究 | 第24页 |
| ·对氦原子边界轮廓的研究 | 第24-25页 |
| ·对氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程的研究 | 第25-33页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子中内禀特征轮廓上电子密度三维空间分布的变化 | 第25-26页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程中在 X-Y 平面上体系的电荷密度变化 | 第26-28页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程中在 X-Y 平面上体系一个电子受到的作用势(PAEM)的变化 | 第28-29页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程中各项性质的变化 | 第29-30页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程中内禀特征轮廓及电荷密度变化 | 第30-32页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴接近氢分子时氢分子与氦原子内禀特征轮廓半径和内禀特征轮廓半径上的电子密度变化图 | 第32-33页 |
| ·对氦原子沿氢分子键轴接近氢分子过程的分析 | 第33页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程的研究 | 第33-42页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中内禀特征轮廓上电子密度三维空间分布的变化 | 第33-34页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中在 X-Y 平面上体系的电子密度变化 | 第34-36页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中在 X-Y 平面上体系一个电子受到的作用势(PAEM)的变化 | 第36-37页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中各项性质的变化 | 第37-38页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中内禀特征轮廓及电子密度变化 | 第38-40页 |
| ·氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程中内禀特征轮廓半径和内禀特征轮廓半径上的电子密度变化图 | 第40-41页 |
| ·对氦原子沿氢分子键轴垂直平分线接近氢分子过程的分析 | 第41-42页 |
| 第三章 分子中一个电子受到的作用势结构拓扑分析 | 第42-59页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·各种分子拓扑学的研究方法 | 第44-45页 |
| ·分子电荷密度分布的拓扑学性质 | 第44页 |
| ·分子核势的拓扑学性质 | 第44-45页 |
| ·静电势 | 第45页 |
| ·分子中一个电子受到的作用势(PAEM)的拓扑学性质 | 第45-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-59页 |
| ·研究体系的选择 | 第47-48页 |
| ·对各个分子的结构拓扑分析 | 第48-54页 |
| ·拓扑结构分析结果 | 第54-58页 |
| ·结果与展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
