| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-29页 |
| ·难熔金属单晶 | 第8-11页 |
| ·难熔金属的特性及其应用 | 第8-9页 |
| ·难熔金属单晶的制备技术 | 第9-11页 |
| ·难熔金属单晶的电子束悬浮区熔技术(EBFZM) | 第11-16页 |
| ·电子束熔炼技术 | 第11-12页 |
| ·电子束悬浮区熔原理 | 第12-14页 |
| ·电子束悬浮区熔技术的优点 | 第14页 |
| ·难熔金属单晶的电子束悬浮区熔技术 | 第14-16页 |
| ·定向凝固技术与单晶生长 | 第16-24页 |
| ·传统定向凝固技术 | 第18-19页 |
| ·传统定向凝固技术存在的问题 | 第19-20页 |
| ·新型定向凝固技术 | 第20-22页 |
| ·新型定向凝固技术存在的问题及展望 | 第22页 |
| ·定向凝固与单晶生长 | 第22-24页 |
| ·单晶生长理论 | 第24-27页 |
| ·晶体生长机制 | 第24-25页 |
| ·晶体生长理论模型 | 第25-27页 |
| ·选题背景及研究意义 | 第27-28页 |
| ·本文的研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 研究内容及方法 | 第29-36页 |
| ·ESZ1.5型电子束悬浮区熔设备 | 第29-30页 |
| ·电子枪的设计 | 第30-32页 |
| ·20KW工业型电子束悬浮区熔设备 | 第32页 |
| ·实验方案 | 第32-33页 |
| ·电子束悬浮区熔工艺 | 第33-35页 |
| ·原材料Mo棒: | 第33-34页 |
| ·电子束区熔工艺 | 第34页 |
| ·主要工艺参数 | 第34-35页 |
| ·试样制备 | 第35页 |
| ·分析方法 | 第35-36页 |
| 第三章 无籽晶法电子束悬浮区熔定向凝固钼的组织与性能 | 第36-52页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的凝固组织演化 | 第36-41页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的宏观组织分析 | 第36-37页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的显微组织分析 | 第37-40页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的组织演化 | 第40-41页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的生长机制 | 第41-46页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的成分分析 | 第46页 |
| ·电子束悬浮区熔定向凝固钼的力学性能分析 | 第46-47页 |
| ·粉冶钼棒的电子束悬浮区熔定向生长的组织研究 | 第47-51页 |
| ·钼晶体的定向生长组织 | 第48-50页 |
| ·钼晶体的定向生长组织的成分分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 籽晶法电子束悬浮区熔定向凝固钼单晶的组织与性能 | 第52-62页 |
| ·电子束区熔籽晶法生长钼单晶的组织分析 | 第52-53页 |
| ·籽晶法生长单晶的晶体质量分析 | 第53-57页 |
| ·单晶的判定 | 第55-56页 |
| ·单晶的晶体质量分析 | 第56-57页 |
| ·工艺条件对单晶质量的影响 | 第57-59页 |
| ·单晶生长的机制 | 第59-60页 |
| ·单晶的力学性能分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 发表论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |