高质量立方氮化硼薄膜的制备和光电特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·cBN 的性质及其应用前景 | 第10-12页 |
| ·cBN 薄膜的制备方法 | 第12页 |
| ·研究现状和存在的问题 | 第12-15页 |
| ·研究现状 | 第12-14页 |
| ·存在的问题 | 第14-15页 |
| ·本文的研究内容 | 第15-18页 |
| 第2章 cBN 薄膜的微结构和标识 | 第18-28页 |
| ·BN 的相 | 第18-21页 |
| ·六角氮化硼(hBN) | 第18-20页 |
| ·立方氮化硼(cBN) | 第20-21页 |
| ·菱形氮化硼 | 第21页 |
| ·纤锌矿氮化硼 | 第21页 |
| ·cBN 薄膜的微结构 | 第21-24页 |
| ·非晶BN 层 | 第22页 |
| ·六角BN 层 | 第22-23页 |
| ·cBN 层 | 第23-24页 |
| ·近表面层 | 第24页 |
| ·cBN 薄膜的标识 | 第24-28页 |
| ·傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第24-26页 |
| ·电子衍射和X 射线衍射方法 | 第26页 |
| ·透射电子显微术(TEM) | 第26页 |
| ·薄膜化学配比的确定 | 第26页 |
| ·薄膜的形貌观察 | 第26-28页 |
| 第3章 射频溅射法制备立方氮化硼 | 第28-38页 |
| ·射频溅射原理 | 第28-32页 |
| ·辉光放电 | 第28-30页 |
| ·溅射机理 | 第30-32页 |
| ·溅射镀膜 | 第32-33页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第32页 |
| ·溅射膜的结构 | 第32-33页 |
| ·射频溅射系统 | 第33-35页 |
| ·实验过程 | 第35-38页 |
| ·衬底清洗 | 第35-36页 |
| ·样品制备 | 第36-37页 |
| ·样品测试 | 第37-38页 |
| 第4章 影响立方氮化硼薄膜形成的主要因素 | 第38-44页 |
| ·温度对BN 薄膜的影响 | 第38-39页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·结果和讨论 | 第38-39页 |
| ·衬底材料的选择和预处理 | 第39-41页 |
| ·衬底材料的选择 | 第39-40页 |
| ·衬底的预处理 | 第40-41页 |
| ·偏压对制备cBN 薄膜的影响 | 第41-42页 |
| ·实验 | 第41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-42页 |
| ·气压对cBN 薄膜的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 高重复率制备高质量cBN 薄膜 | 第44-58页 |
| ·两步法提高立方相氮化硼薄膜的粘附性 | 第44-52页 |
| ·cBN 薄膜中的应力和薄膜的附着力 | 第45-47页 |
| ·两步法制备高质量的cBN 薄膜 | 第47-52页 |
| ·三步法提高制备立方相氮化硼薄膜的可重复性 | 第52-57页 |
| ·依据 | 第52-54页 |
| ·第一步时间的影响 | 第54-55页 |
| ·第一步偏压的影响 | 第55页 |
| ·可重复性的提高 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 立方氮化硼(cBN)薄膜的光学带隙 | 第58-64页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第7章 p-Si/n-BN 异质结特性研究 | 第64-70页 |
| ·实验 | 第65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
