| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·面发射激光器的基本概念 | 第7页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究状况 | 第7-8页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构和特点 | 第8-11页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究方向及应用前景 | 第11-21页 |
| ·垂直腔面发射激光器研制中的关键难点 | 第21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-22页 |
| 第二章 垂直腔面发射激光器的理论分析及设计 | 第22-39页 |
| ·VCSEL内主要物理过程 | 第22-24页 |
| ·垂直腔面发射激光器中布拉格反射器的设计 | 第24-30页 |
| ·VCSEL器件单纵模工作特性 | 第30-31页 |
| ·谐振腔的品质因数 | 第31页 |
| ·等效腔长分析 | 第31-33页 |
| ·阈值条件 | 第33-34页 |
| ·VCSEL中的横向光电限制结构 | 第34-39页 |
| 第三章 新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格DBR的研制 | 第39-45页 |
| ·AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格DBR的结构设计 | 第39-40页 |
| ·DBR光学特性的研究 | 第40-41页 |
| ·DBR电学特性的研究 | 第41-45页 |
| 第四章 VCSEL的外延生长 | 第45-53页 |
| ·分子束外延(MBE)生长技术概述 | 第45-46页 |
| ·MBE的工作原理 | 第46-49页 |
| ·分子束外延(MBE)生长中的几个主要问题 | 第49-51页 |
| ·DBR的外延生长 | 第51-53页 |
| 第五章 VCSEL制备工艺研究 | 第53-56页 |
| ·N面出光的VCSEL的制作 | 第53-55页 |
| ·P面出光的VCSEL器件的制作 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
